[发明专利]存储器的制作方法

权利要求书

1.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括核心区和位于所述核心区外的外围区，所述核心区内设有多个间隔设置的有源区；

先在所述基底的核心区上形成第一阻挡层，然后在所述基底上依次层叠形成第一导电层和第一掩膜层；

刻蚀所述核心区的所述第一掩膜层、所述第一导电层和所述第一阻挡层，形成贯穿所述第一掩膜层、所述第一导电层和所述第一阻挡层的第一刻蚀孔，所述第一刻蚀孔与所述有源区相对；

沿所述第一刻蚀孔刻蚀所述基底，形成位线接触孔，所述位线接触孔暴露所述有源区；

去除所述核心区且位于所述位线接触孔周围的所述第一掩膜层和所述第一导电层，保留位于所述位线接触孔周围的所述第一阻挡层；

在所述位线接触孔内形成位线接触，所述位线接触电连接所述有源区，且所述位线接触背离所述基底的表面并与所述第一阻挡层背离所述基底的表面齐平；

在所述位线接触孔内形成位线接触的步骤包括：

在所述位线接触孔内、所述核心区的所述第一阻挡层上以及所述外围区的所述第一掩膜层上沉积第二导电层；

刻蚀去除所述核心区的所述第一阻挡层上的所述第二导电层和所述外围区的所述第二导电层；

刻蚀去除所述外围区的所述第一掩膜层，以暴露所述外围区的所述第一导电层。

2.根据权利要求1所述的存储器的制作方法，其特征在于，在所述基底上依次层叠形成第一导电层和第一掩膜层的步骤之后，还包括：

在所述第一掩膜层上依次层叠形成第二掩膜层、第三掩膜层和中间层；其中，所述核心区的所述第三掩膜层内具有贯穿所述第三掩膜层的填充孔，部分所述中间层位于所述填充孔内；

去除所述核心区的部分所述中间层以及所述核心区的所述第三掩膜层，保留位于所述填充孔内的所述中间层；

以保留的所述中间层为掩膜，刻蚀去除所述核心区暴露的所述第二掩膜层。

3.根据权利要求2所述的存储器的制作方法，其特征在于，去除所述核心区的所述第三掩膜层以及所述核心区的部分所述中间层，保留位于所述填充孔内的所述中间层的步骤包括：

在所述外围区的所述中间层上沉积光刻胶层，所述光刻胶层覆盖所述中间层；

以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀去除所述核心区的所述第三掩膜层上的所述中间层；

刻蚀去除所述核心区的所述第三掩膜层和所述外围区的所述光刻胶层，所述核心区暴露所述第二掩膜层，所述外围区暴露所述中间层。

4.根据权利要求3所述的存储器的制作方法，其特征在于，所述第三掩膜层包括位于所述第二掩膜层上的第一基础层，以及位于所述第一基础层上的第一防反射层；

刻蚀去除所述核心区的所述第三掩膜层和所述外围区的所述光刻胶层，所述核心区暴露所述第二掩膜层，所述外围区暴露所述中间层的步骤包括：

刻蚀去除所述核心区的所述第一防反射层，所述核心区暴露所述第一基础层；

同时刻蚀去除所述核心区的所述第一基础层和所述外围区的所述光刻胶层。

5.根据权利要求4所述的存储器的制作方法，其特征在于，所述第一基础层与所述中间层的刻蚀速率选择比大于或者等于50；

同时刻蚀去除所述核心区的所述第一基础层和所述外围区的所述光刻胶层时，第一刻蚀剂为氧气，第一刻蚀频率为60MHz，第一刻蚀功率为1000W-1200W。

6.根据权利要求2所述的存储器的制作方法，其特征在于，在所述第一掩膜层上依次层叠形成第二掩膜层、第三掩膜层和中间层的步骤包括：

在所述第一掩膜层上依次沉积所述第二掩膜层和所述第三掩膜层；

刻蚀去除所述核心区的部分所述第三掩膜层，形成所述填充孔；

在所述填充孔内以及所述第三掩膜层上沉积所述中间层。