[发明专利]一种改善应力薄膜覆盖均匀性的NMOS器件制造方法及其NMOS器件在审
| 申请号： | 202110526796.4 | 申请日： | 2021-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN113394101A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 闻永华;廖端泉;何志斌 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭立 |
| 地址： | 201315 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 应力 薄膜 覆盖 均匀 nmos 器件 制造 方法 及其 | ||
1.一种改善应力薄膜覆盖均匀性的NMOS器件制造方法，其特征在于，包括：
步骤S1，提供一衬底,所述衬底上形成至少两个栅极，每个所述栅极上有第一硬掩模层和第二硬掩模层，每个所述栅极的两侧有第一侧墙和第二侧墙，所述衬底上还包括有源极和漏极；
步骤S2，所述源极和所述漏极区域的离子注入；
步骤S3，所述第二侧墙的削薄；采用刻蚀工艺对所述第二侧墙进行削薄，同时降低所述第二侧墙5和所述第一侧墙6的高度，使所述第二侧墙5的高度低于所述第一侧墙的高度，所述第一侧墙的高度低于所述第二硬掩模层的高度；
步骤S4，应力薄膜沉积；
步骤S5，所述应力薄膜快速热退；
步骤S6，所述应力薄膜的去除；
步骤S7，所述硬掩模层的去除；
去除所述栅极上的第一硬掩模层和第二硬掩模层。
2.如权利要求1所述的NMOS器件制造方法，其特征在于：
在所述步骤S2中，还包括快速热退火工艺，在对所述源极和所述漏极区域的离子注入后进行。
3.如权利要求1所述的NMOS器件制造方法，其特征在于：
在所述步骤S3中，所述刻蚀工艺为干法刻蚀。
4.如权利要求3所述的NMOS器件制造方法，其特征在于：
所述干法刻蚀的工艺参数中，工艺气体至少包括四氟化碳、三氟甲烷、二氟甲烷和氟甲烷，所述工艺气体流量为0至200sccm，压力为20至80mtor，温度为40至60度，离子轰击功率为200至400W。
5.如权利要求1所述的NMOS器件制造方法，其特征在于：
所述步骤S4中，所述应力薄膜为氮化硅，使用化学气相沉积法沉积。
6.如权利要求1所述的NMOS器件制造方法，其特征在于：
所述步骤S6中，采用湿法刻蚀工艺去除所述应力薄膜。
7.如权利要求1所述的NMOS器件制造方法，其特征在于：
所述步骤S7中，采用光阻回刻工艺实现对所述第一硬掩模层和所述第二硬掩模层的去除。
8.一种NMOS器件，其特征在于：
所述NMOS器件由前述任一权利要求所述的改善应力薄膜覆盖均匀性的NMOS器件制造方法制备而成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
