[发明专利]半导体装置及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包含：

半导体衬底；以及

所述半导体衬底上的多层布线结构，所述多层布线结构包括第一绝缘层、所述第一绝缘层上的第一导电层、所述第一绝缘层上的第二导电层、所述第一和第二导电层上的第三导电层、所述第三导电层上的第四导电层和所述第四导电层上的第二绝缘层，

其中所述多层布线结构包括：

第一栅电极，其包含分别在所述第一和第二绝缘层中的第一和第二绝缘膜，以及分别在所述第一、第三和第四导电层中的第一、第三和第四导电膜；以及

第二栅电极，其包含分别在所述第一和第二绝缘层中的第一和第二绝缘膜，以及分别在所述第二、第三和第四导电层中的第二、第三和第四导电膜。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中包括在所述第一栅电极中的所述第三导电膜和包括在所述第二栅电极中的所述第三导电膜包含第一材料，并且包括在所述第一栅电极中的所述第四导电膜和包括在所述第二栅电极中的所述第四导电膜包含第二材料。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中包括在所述第一栅电极中的所述第三导电膜和包括在所述第二栅电极中的所述第三导电膜在相同的工艺步骤中形成，并且包括在所述第一栅电极中的所述第四导电膜和包括在所述第二栅电极中的所述第四导电膜在相同的工艺步骤中形成。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中包括在所述第一栅电极中的所述第一导电膜和包括在所述第二栅电极中的所述第二导电膜具有不同的功函数。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中包括在所述第一栅电极中的所述第一导电膜和包括在所述第二栅电极中的所述第二导电膜在不同的工艺步骤中形成。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中包括在所述第一栅电极中的所述第一导电膜和包括在所述第二栅电极中的所述第二导电膜包含氮化钛。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中包括在所述第一导电膜中的氮化钛中的钛与氮的构成比不同于包括在所述第二导电膜中的氮化钛中的钛与氮的构成比。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体衬底包含第一导电类型的第一阱和第二导电类型的第二阱，所述第一栅电极设置在所述第一阱上方，所述第二栅电极设置在所述第二阱上方。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包含：

连接所述第一栅电极和所述第二栅电极的第三栅电极，

其中所述第三栅电极包括所述第三导电膜和所述第四导电膜。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一绝缘膜包括高k材料。

11.一种制造半导体装置的方法，包含：

形成其间具有距离的第一导电类型的第一阱和第二导电类型的第二阱；

依次形成第一绝缘膜、第一导电膜和第一覆盖绝缘膜，以覆盖所述第一和第二阱中的每一个；

蚀刻所述第一覆盖绝缘膜和所述第一导电膜以在所述第一阱上留下所述第一覆盖绝缘膜和所述第一导电膜的第一部分并在所述第二阱上暴露所述第一绝缘膜；

依次形成第二导电膜和第二覆盖绝缘膜，以覆盖所述第二阱上的所述第一绝缘膜和所述第一阱上的所述第一部分；以及

蚀刻所述第二导电膜和所述第二覆盖绝缘膜，以在所述第二阱上留下所述第二导电膜和所述第二覆盖绝缘膜的第二部分，并在所述第一阱上暴露所述第一部分。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一导电膜和所述第二导电膜具有不同的功函数。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一导电膜和所述第二导电膜包含氮化钛。