[发明专利]具有电容在晶体管上方的存储单元结构

权利要求书

1.一种存储单元结构，其特征在于包含：

一硅基板，具有一硅表面；

一晶体管，耦接所述硅表面，其中所述晶体管包含一栅极结构、一第一导通区以及一第二导通区；

一位线，电耦接所述晶体管的第一导通区以及位在所述硅表面下方；及

一电容，位在所述晶体管上方以及电耦接所述晶体管的第二导通区。

2.如权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于所述电容至少包围所述晶体管的顶部和一侧壁。

3.如权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于所述位线通过一桥接触电耦接所述晶体管的第一导通区，所述桥接触位在所述硅表面下方，所述桥接触的第一侧壁与所述位线的边缘对齐，以及所述桥接触包含一上半部和一下半部，其中所述桥接触的上半部毗邻所述硅基板，以及所述桥接触下半部通过一第一隔离层与所述硅基板隔离。

4.如权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于另包含：

一字线，延伸至所述晶体管外以及耦接所述晶体管的栅极结构，其中所述字线包含一上半部，所述字线的上半部位于所述硅表面上，以及

所述字线的上半部的一侧壁与所述栅极结构的一侧壁对齐。

5.如权利要求4所述的存储单元结构，其特征在于所述晶体管另包含一介电层，且所述介电层围绕所述字线和所述栅极结构。

6.如权利要求5所述的存储单元结构，其特征在于所述栅极结构的至少一部分从所述硅表面向下延伸。

7.如权利要求1所述的存储单元结构，另包含：

一第一间隔层，覆盖所述栅极结构的第一侧壁且位在所述硅表面上方；及

一第二间隔层，覆盖所述栅极结构的第二侧壁且位在所述硅表面上方；其中所述晶体管的第一导通区从所述硅表面向上延伸以及毗邻所述第一间隔层，以及所述晶体管的第二导通区从所述硅表面向上延伸以及

毗邻所述第二间隔层。

8.一种存储单元结构，其特征在于包含：

一硅基板，具有一硅表面；

一晶体管，耦接所述硅表面，其中所述晶体管包含一栅极结构、一第一导通区以及一第二导通区；

一位线，电耦接所述晶体管的第一导通区；及

一电容，电耦接所述晶体管的第二导通区以及围绕所述晶体管。

9.如权利要求8所述的存储单元结构，其特征在于所述电容包含一第一部和一第二部，所述电容的第一部垂直堆迭在所述晶体管的顶部上方，以及所述电容的第二部毗邻所述晶体管的一侧壁。

10.如权利要求8所述的存储单元结构，其特征在于所述位线位在所述硅表面下方以及通过一桥接触电耦接所述晶体管的第一导通区。

11.如权利要求10所述的存储单元结构，其特征在于所述桥接触位在所述硅表面下方以及所述桥接触的第一侧壁与所述位线的边缘对齐。

12.如权利要求11所述的存储单元结构，其特征在于所述桥接触包含一上半部和一下半部，所述桥接触的上半部毗邻所述硅基板，以及所述桥接触下半部通过一第一隔离层与所述硅基板隔离。

13.如权利要求12所述的存储单元结构，其特征在于所述第一隔离层至少覆盖所述桥接触的下半部的一第一侧壁、一第二侧壁和一底部。

14.如权利要求12所述的存储单元结构，其特征在于所述桥接触的上半部包含一金属区和一掺杂半导体区，所述掺杂半导体区围绕所述金属区，以及所述掺杂半导体区毗邻所述硅基板。

15.如权利要求10所述的存储单元结构，其特征在于所述桥接触位在所述硅表面下方以及一第一介电帽覆盖所述桥接触的顶部表面。