[发明专利]显示面板及其制备方法

说明书

本发明公开了一种显示面板及其制备方法。所述显示面板包括一衬底、间隔设置于所述衬底上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管包括位于所述衬底上的第一栅极、位于所述第一栅极上方的第一有源层、及位于所述第一有源层上的第一源漏极层；所述第二薄膜晶体管包括位于所述衬底上的第二源漏极层、位于所述第二源漏极层上方且与所述第二源漏极层连接的金属氧化物半导体层、及位于所述金属氧化物半导体层上方的第二栅极。本发明中通过第一栅极与第二源漏极层同层设置且采用同一道制程一体成型；第一源漏极层与第二栅极同层设置且采用同一道制程一体成型，减少显示面板制程中的光罩使用数量，简化工艺流程，提升显示面板的产品质量。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法。

背景技术

目前大部分的显示面板设备采用的是低温多晶硅(Low TemperaturePoly-silicon，LTPS)薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的面板技术。在经历过去数年的改良，LTPS显示面板拥有高分辨率、高反应速度、高亮度、高开口率等优势，使其成为了当今市面上最成熟和主流的TFT面板技术方案。虽然LTPS显示面板尽管受到了市场欢迎，但其具有生产成本较高、所需功耗较大的劣势，增加成本，将LTPS显示面板技术和氧化物(Oxide)显示面板技术相结合得到的低温多晶氧化物(Low Temperature Polycrystalline Oxide，LTPO)显示面板，LTPO显示面板不仅具有LTPS显示面板的高分辨率、高反应速度、高亮度、高开口率等优势，其还具有生产成本低和功耗低的优势。

但是，现有的LTPO制程中通常使用9-12道光罩，光罩数目较多；如何减少光罩数量，简化工艺流程是目前亟需解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种显示面板及其制备方法，通过栅极层与源漏极层采用同一道制程一体成型，减少显示面板制程中的光罩使用数量，简化工艺流程，提升显示面板的产品质量。

为实现上述目的，本发明的实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括一衬底、间隔设置于所述衬底上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；

所述第一薄膜晶体管包括位于所述衬底上的第一栅极、位于所述第一栅极上方的第一有源层、及位于所述第一有源层上的第一源漏极层；

所述第二薄膜晶体管包括位于所述衬底上的第二源漏极层、位于所述第二源漏极层上方且与所述第二源漏极层连接的金属氧化物半导体层、及位于所述金属氧化物半导体层上方的第二栅极；

其中，所述第一栅极与所述第二源漏极层同层设置且采用同一道制程一体成型，所述第一源漏极层与所述第二栅极同层设置且采用同一道制程一体成型。

在一些实施例中，所述金属氧化物半导体层至少包括有源段；

所述第二源漏极层在所述衬底上的正投影与所述有源段在所述衬底上的正投影至少部分重合。

在一些实施例中，所述金属氧化物半导体层还包括位于所述有源段两端的第一连接段和第二连接段；所述第二源漏极层包括第二漏极和第二源极，所述衬底、第一栅极、第二漏极和所述第二源极上设有覆盖所述第一栅极、第二漏极和所述第二源极的第一绝缘层，所述第一绝缘层设有与所述第二源极相对应的第一过孔和与所述第二漏极相对应的第二过孔，所述有源段一端通过所述第一连接段穿过所述第一过孔与所述第二漏极连接，所述有源段另一端通过所述第二连接段穿过所述第二过孔与所述第二源极连接；

所述第二漏极在所述衬底上的正投影与所述有源段在所述衬底上的正投影至少部分重合；或

所述第二源极在所述衬底上的正投影与所述有源段在所述衬底上的正投影至少部分重合。

在一些实施例中，所述第一有源层包括设置于所述第一栅极上方的多晶硅半导体层、及设置于所述多晶硅半导体层上的n型掺杂层。