[发明专利]显示面板及其制备方法

权利要求书

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括一衬底、间隔设置于所述衬底上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；

所述第一薄膜晶体管包括位于所述衬底上的第一栅极、位于所述第一栅极上方的第一有源层、及位于所述第一有源层上的第一源漏极层；

所述第二薄膜晶体管包括位于所述衬底上的第二源漏极层、位于所述第二源漏极层上方且与所述第二源漏极层连接的金属氧化物半导体层、及位于所述金属氧化物半导体层上方的第二栅极；

其中，所述第一栅极与所述第二源漏极层同层设置且采用同一道制程一体成型，所述第一源漏极层与所述第二栅极同层设置且采用同一道制程一体成型。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述金属氧化物半导体层至少包括有源段；

所述第二源漏极层在所述衬底上的正投影与所述有源段在所述衬底上的正投影至少部分重合。

3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述金属氧化物半导体层还包括位于所述有源段两端的第一连接段和第二连接段；

所述第二源漏极层包括第二漏极和第二源极，所述衬底、第一栅极、第二漏极和所述第二源极上设有覆盖所述第一栅极、第二漏极和所述第二源极的第一绝缘层，所述第一绝缘层设有与所述第二源极相对应的第一过孔和与所述第二漏极相对应的第二过孔，所述有源段一端通过所述第一连接段穿过所述第一过孔与所述第二漏极连接，所述有源段另一端通过所述第二连接段穿过所述第二过孔与所述第二源极连接；

所述第二漏极在所述衬底上的正投影与所述有源段在所述衬底上的正投影至少部分重合；或

所述第二源极在所述衬底上的正投影与所述有源段在所述衬底上的正投影至少部分重合。

4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一有源层包括设置于所述第一栅极上方的多晶硅半导体层、及设置于所述多晶硅半导体层上的n型掺杂层。

5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述n型掺杂层包括间隔设置于所述多晶硅半导体层上的第一掺杂子层和第二掺杂子层；

所述第一源漏极层包括分别与所述多晶硅半导体层连接的第一源极和第一漏极，所述第一掺杂子层位于所述多晶硅半导体层与所述第一源极之间，所述第二掺杂子层位于所述多晶硅半导体层与所述第一漏极之间。

6.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，在所述衬底上形成间隔设置的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；

所述的在所述衬底上形成所述第一薄膜晶体管的步骤包括：

在所述衬底上形成第一栅极；

在所述第一栅极上方形成第一有源层；

在所述第一有源层上形成第一源漏极层；

所述的在所述衬底上形成所述第二薄膜晶体管的步骤包括：

在所述衬底上形成第二源漏极层；

在所述第二源漏极层上方形成与所述第二源漏极层连接的金属氧化物半导体层；

在所述金属氧化物半导体层上方形成第二栅极；

其中，所述第一栅极与所述第二源漏极层同层设置且采用同一道制程一体成型；所述第一源漏极层与所述第二栅极同层设置且采用同一道制程一体成型。

7.如权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物半导体层至少包括有源段；

所述第二源漏极层在所述衬底上的正投影与所述有源段在所述衬底上的正投影至少部分重合。