[发明专利]适用于高速内容寻址和存内布尔逻辑计算的SRAM单元在审
| 申请号： | 202110520255.0 | 申请日： | 2021-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN113205846A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 陈剑;哈亚军 | 申请（专利权）人： | 上海科技大学 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 徐俊;徐颖 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 适用于 高速 内容 寻址 布尔 逻辑 计算 sram 单元 | ||
【权利要求书】：
1.一种适用于高速内容寻址和存内布尔逻辑计算的SRAM单元，其特征在于，由一个标准6T-SRAM和两个额外的PMOS访问晶体管构成，两个PMOS访问晶体管P1、P2的读字线分别为RWLR和RWLL，在其控制下形成差分读取端口
2.根据权利要求1所述适用于高速内容寻址和存内布尔逻辑计算的SRAM单元，其特征在于，所述标准6T-SRAM的NMOS门控访问晶体管N1、N2和两个额外的PMOS访问晶体管P1、P2的工作状态如下表：
，
对应各个端口电压真值表如下：
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