[发明专利]基板处理装置和基板处理方法

说明书

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。提供能够针对该基板处理装置缩小占地面积的技术。对于包括设有分别对基板进行液处理的多个液处理组件的处理模块的基板处理装置，将基板输送模块设于处理模块的左侧。基板输送模块具备供用于收纳多个基板的容器载置的容器载置部和相对于容器交接基板的第1输送机构。另外，在处理模块设置沿左右延伸的基板的输送路径和在该输送路径上移动而向液处理组件输送基板的第2输送机构。而且，在处理模块以相对于所述输送路径向前方突出的方式设置第2处理组件，并且设置相对于该第2处理组件交接所述基板的第3输送机构。

技术领域

本公开涉及基板处理装置和基板处理方法。

背景技术

作为半导体装置的制造工序中的一个工序，进行光刻。在该光刻中，进行如下操作：对作为基板的半导体晶圆(以下，记载为晶圆)涂敷抗蚀剂而形成抗蚀膜，和供给显影液而使曝光结束的抗蚀膜显影。例如在专利文献1中记载了进行像这样的抗蚀膜的形成和显影的基板处理装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2019-4072号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够针对基板处理装置减小占地面积的技术。

用于解决问题的方案

本公开的基板处理装置包括设有分别对基板进行液处理的多个液处理组件的处理模块，该基板处理装置具备：

基板输送模块，其具备供用于收纳多个所述基板的容器载置的容器载置部和相对于所述容器交接所述基板的第1输送机构，该基板输送模块相对于所述处理模块设于左右中的一方；

所述基板的输送路径，其在所述处理模块沿左右延伸；

多个层段，其在相对于所述输送路径的前后中的一方以所述液处理组件在纵向上成列的方式构成所述处理模块，并且分别包括该液处理组件；

第1处理组件，其在相对于所述输送路径的前后中的另一方在纵向上设置多个，并在所述液处理组件的处理之前或之后进行所述基板的处理；

第2输送机构，其在所述输送路径上移动而在所述液处理组件与所述第1处理组件之间输送所述基板；

第2处理组件，其在所述基板输送模块处的利用所述第1输送机构输送基板的输送区域的上方以前后的长度比左右的长度长的方式设置，或以从所述输送路径向前后中的一方或另一方突出的方式设置，其对所述基板进行与由所述第1处理组件进行的处理不同的处理；

第3输送机构，其相对于所述第2处理组件交接所述基板；以及

交接部，其设于所述输送路径的左右中的一侧，供所述基板载置，用于在所述第1输送机构、所述第2输送机构以及所述第3输送机构之间交接该基板。

对于上述基板处理装置，也可以是，所述第2处理组件设为从所述输送路径向相对于该输送路径的前后中的一方或另一方突出，并与所述交接部重叠。

对于上述基板处理装置，也可以是，所述第3输送机构相对于所述输送路径设于与所述第2处理组件所突出的一侧相反的一侧。

对于上述基板处理装置，也可以是，所述第2处理组件相对于所述输送路径突出的一侧是前后中的一侧，所述第3输送机构相对于所述输送路径设于前后中的另一侧。

对于上述基板处理装置，也可以是，所述交接部包括在纵向上成列并且分别载置所述基板的多个基板载置部，在一个所述基板载置部与另一个所述基板载置部之间设有所述第2处理组件。