[发明专利]自适应输入过欠压浪涌抑制和输入过欠压保护电路和方法在审
申请号: | 202110516948.2 | 申请日: | 2021-05-12 |
公开(公告)号: | CN113113895A | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 高涛;孙晋栋;张骁;杨婉 | 申请(专利权)人: | 北京泰派斯特电子技术有限公司 |
主分类号: | H02H3/20 | 分类号: | H02H3/20;H02H3/24;H02H9/00;H02H9/04;H02H11/00 |
代理公司: | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人: | 葛钟 |
地址: | 100089 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 自适应 输入 浪涌 抑制 保护 电路 方法 | ||
1.一种自适应输入过欠压浪涌抑制和输入过欠压保护电路,其特征在于,包括:
电压采样模块、过欠压浪涌处理模块、输入过欠压关断模块和主控模块;
所述电压采样模块与所述主控模块连接,用于采集得到输入电压信息,并将所述输入电压信息传递至所述主控模块中,供所述主控模块确定所述输入电压是否异常;其中,所述异常包括:浪涌过欠压异常和持续过欠压异常;
所述主控模块在判断所述输入电压无异常时,控制电路正常输出电压;
所述主控模块在判断所述输入电压异常并为浪涌过欠压异常时,通过所述过欠压浪涌处理模块,对浪涌电压进行处理后输出;
所述主控模块在所述输入电压为持续过欠压时,通过控制所述输入过欠压关断模块关断供电回路,停止电压输出。
2.根据权利要求1所述的自适应输入过欠压浪涌抑制和输入过欠压保护电路,其特征在于,所述过欠压浪涌处理模块包括:过压浪涌抑制子模块和欠压浪涌升压子模块;
所述过压浪涌抑制子模块与所述欠压浪涌升压子模块均与所述主控模块连接;
所述过压浪涌抑制子模块用于在所述主控模块的控制下对输入电压进行降压;
所述欠压浪涌升压子模块用于在所述主控模块的控制下对输入电压进行升压。
3.根据权利要求2所述的自适应输入过欠压浪涌抑制和输入过欠压保护电路,其特征在于,
所述过压浪涌抑制子模块包括:第一电阻、第一电容、第二场效应管、第三电阻、第一二极管、第五电阻、第七电阻、第二十三电容、第四场效应管、第九电阻和第三二极管;
所述第二场效应管漏极连接电源输入端和所述第一电阻第一端,栅极通过并联的所述第一二极管和所述第三电阻连接所述主控模块,源极分别连接所述第一电容第二端、所述第四场效应管漏极和所述第一电感第一端;所述第一电阻第二端连接所述第一电容第一端;
所述第四场效应管漏极分别连接所述第一电感第一端和所述第七电阻第一端,栅极通过并联的所述第九电阻和所述第三二极管连接所述主控模块,源极连接所述第二十三电容的第二端;所述第七电阻第二端连接所述第二十三电容;
所述欠压浪涌升压子模块包括:第二电阻、第二电容、第一场效应管、第四电阻、第二二极管、第六电阻、第八电阻、第二十四电容、第三场效应管、第十电阻和第四二极管;
所述第一场效应管漏极连接电源输出端和所述第二电阻第一端,栅极通过并联的所述第二二极管和所述第四电阻连接所述主控模块,源极分别连接所述第二电容第二端、所述第四场效应管漏极和所述第一电感第二端;所述第二电阻第二端连接所述第二电容第一端;
所述第三场效应管漏极分别连接所述第一电感第二端和所述第八电阻第一端,栅极通过并联的所述第十电阻和所述第四二极管连接所述主控模块,源极连接所述第二十四电容的第二端;所述第八电阻第二端连接所述第二十四电容;
当所述主控模块判断输入电压存在浪涌过压异常时,控制所述第二场效应管和所述第四场效应管处于降压模式,控制所述第一场效应管导通,所述第三场效应管关断,对输入电压进行降压;当所述主控模块判断输入电压存在浪涌欠压异常时,控制所述第一场效应管和所述第三场效应管处于升压模式,所述控制第二场效应管导通,所述第四场效应管关断,对输入电压进行升压。
4.根据权利要求1所述的自适应输入过欠压浪涌抑制和输入过欠压保护电路,其特征在于,所述输入过欠压关断电路包括:第六场效应管、第七场效应管和光耦合器;
所述第六场效应管的漏极连接电源第一输出端,所述第七场效应管源极连接电源第二输出端,所述第六场效应管栅极与所述第七场效应管栅极并联后,通过所述光耦合器连接主控模块;
所述输入过欠压关断模块用于在所述主控模块的控制下,断开所述第六场效应管和第七场效应管,停止电压输出,或导通所述第六场效应管和第七场效应管,输出电压。
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