[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：

存储器串，该存储器串连接在公共源极线和位线之间，并且包括至少一个第一选择晶体管、多个存储器单元和多个第二选择晶体管；以及

控制逻辑，该控制逻辑被配置为在擦除操作期间向分别连接到所述多个第二选择晶体管的多条第二选择线当中的第一组施加第一电压，使所述多条第二选择线当中的第二组浮置，然后向所述公共源极线施加擦除电压。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一电压在与所述第一组中的第二选择线连接的所述第二选择晶体管中产生栅诱导漏极泄漏GIDL电流。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，随着所述擦除电压被施加到所述公共源极线，所述多条第二选择线当中的所述第二组的电压通过耦合而增加。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，所述第二组的第二选择线的电压增加至使与所述第二组的所述第二选择线连接的所述第二选择晶体管导通的电平。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第二组的所述第二选择线被定位成与所述公共源极线相邻。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，

其中，在所述擦除操作期间，所述控制逻辑还被配置为将所述第二组预充电到高于所述第一电压的第二电压，并且

其中，所述控制逻辑在执行预充电操作之后使所述第二组浮置。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，

其中，在所述擦除操作期间，所述控制逻辑还被配置为将所述多条第二选择线当中的所述第二组和第三组预充电到高于所述第一电压的第二电压，并且

其中，所述控制逻辑在执行预充电操作之后使所述第二组浮置。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中，在所述多条第二选择线当中，所述第三组位于所述第一组和所述第二组之间。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，

其中，在所述擦除操作期间，所述控制逻辑还被配置为向所述多条第二选择线当中的第三组施加所述第一电压，

其中，所述控制逻辑还被配置为在执行施加操作之后使所述第三组浮置，并且

其中，所述控制逻辑在使所述第二组和所述第三组浮置之后向所述公共源极线施加所述擦除电压。

10.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，其中，在所述多条第二选择线当中，所述第三组位于所述第一组与所述第二组之间。

11.一种操作半导体存储器装置的方法，该半导体存储器装置包括单元串，该单元串包括依次连接在位线和公共源极线之间的第一漏极选择晶体管和第二漏极选择晶体管、多个存储器单元、第一源极选择晶体管和第二源极选择晶体管，该方法包括以下步骤：

向连接至所述第一源极选择晶体管的第一源极选择线施加第一电压；

使连接到所述第二源极选择晶体管的第二源极选择线浮置；以及

通过向所述公共源极线施加擦除电压来增加所述第二源极选择线的电压。

12.根据权利要求11所述的方法，该方法还包括以下步骤：在执行浮置操作之前，向所述第二源极选择线施加所述第一电压。

13.根据权利要求11所述的方法，该方法还包括以下步骤：在执行浮置操作之前，向所述第二源极选择线施加大于所述第一电压的第二电压。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一电压是接地电压。

15.根据权利要求11所述的方法，其中，在使所述第二源极选择线浮置以及向所述公共源极线施加所述擦除电压期间，向所述第一源极选择线施加所述第一电压。