[发明专利]用于金刚石薄膜磁成像装置的微波天线及制作方法在审
| 申请号: | 202110511015.4 | 申请日: | 2021-05-11 |
| 公开(公告)号: | CN113281683A | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
| 发明(设计)人: | 赵龙;赵博文;王鑫;仇茹嘉;杨海涛;谢佳;柯艳国;高博;汪玉;王丽君;陈凡;李圆智;陈嘉;罗大程 | 申请(专利权)人: | 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院;安徽省国盛量子科技有限公司;国家电网有限公司 |
| 主分类号: | G01R33/00 | 分类号: | G01R33/00;G01R33/032;G01R29/10;H01Q1/22;H01Q1/36;H05K3/00;H05K3/10 |
| 代理公司: | 北京国林贸知识产权代理有限公司 11001 | 代理人: | 唐维宁;李瑾 |
| 地址: | 230601 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 金刚石 薄膜 成像 装置 微波 天线 制作方法 | ||
1.一种用于金刚石薄膜磁成像装置的微波天线,包括金刚石薄膜,其特征是:
所述金刚石薄膜设置有一对正负电极,正负电极分别设置在金刚石薄膜的两端;
所述金刚石薄膜的背面固定设置有微波天线,微波天线为材质是铜或银的丝线,丝线的两端分别与正负电极连接;
所述丝线的数量为2条或2条以上;2条以上的丝线平行设置,相邻2条丝线之间的距离相等。
2.根据权利要求1所述金刚石薄膜磁成像装置的微波天线,其特征是:所述金刚石薄膜的背面设置有掩膜。
3.根据权利要求1-2任一所述金刚石薄膜磁成像装置的微波天线,其特征是:所述金刚石薄膜的正面设置有增透膜,增透膜的成分是氟化钙。
4.一种权利要求1所述金刚石薄膜磁成像装置的微波天线的制作方法,其步骤是:
A、清洗金刚石薄膜表面,
首先,用酸溶液清洗,
之后,用丙酮溶液清洗;
B、在金刚石薄膜的背面制备掩膜,
在金刚石薄膜的背面除嵌入丝线的缝隙以外处镀膜;之后将铜或银注入掩膜的缝隙中形成丝线;
C、在金刚石薄膜的正面镀增透膜。
5.根据权利要求4所述微波天线的制作方法,其特征是:所述步骤B中,在金刚石薄膜背面制备掩膜的步骤如下,
B1、调配掩膜胶,
调配聚甲基丙烯酸甲酯试剂用作金刚石薄膜的掩膜胶;
B2、将制备好的金刚石薄膜置于匀胶机上,利用真空吸附功能将金刚石薄膜固定,在金刚石薄膜表面滴上聚甲基丙烯酸甲酯试剂;
启动已设定转速和时间的匀胶机,金刚石薄膜的背面形成均匀的掩膜;
B3、使用电子束光刻机进行掩膜处理。
6.根据权利要求5所述微波天线的制作方法,其特征是:所述步骤B3中掩膜处理的步骤如下,
b1、通过计算机导入设计的掩膜图样;
b2、将金刚石薄膜移至加热板,加热温度180°,加热时长6分钟,将聚甲基丙烯酸甲酯掩膜胶固定成型;
b3、使用电子束曝光设备对图样位置定位曝光,再将曝光后的金刚石薄膜先放入显影液中浸泡l分钟,之后再放入定影液中浸泡20秒;
b4、从定影液中取出金刚石薄膜,使用低流速氮气枪吹干;
b5、使用透射反射显微镜对金刚石薄膜表层成像检测,掩膜制作完成。
7.根据权利要求5所述微波天线的制作方法,其特征是:在所述步骤B2中,在金刚石薄膜表面滴1ml聚甲基丙烯酸甲酯试剂。
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