[发明专利]微发光二极管、微发光元件及显示器

说明书

本申请公开了一种微发光二极管、微发光元件及显示器，该微发光二极管包括半导体堆叠层，半导体堆叠层具有相对设置的第一表面和第二表面；第一表面包括粗糙部和平台部，平台部环绕于粗糙部的外围，且粗糙部相对于平台部向第二表面方向凹陷。本申请中平台部主要是利用保护层预先覆盖第一表面的部分区域并在对第一表面粗化过程中避免保护层所覆盖的区域被移除或减薄而成，在形成平台部时，若半导体堆叠层侧壁有绝缘层，则能够避免半导体堆叠层侧壁处的绝缘层暴露在蚀刻流体下，从而避免绝缘层受到损伤而导致绝缘层失效，提高微发光二极管的可靠性及出光效率。

技术领域

本申请涉及半导体相关技术领域，尤其涉及一种微发光二极管、微发光元件及显示器。

背景技术

微发光二极管具有低功耗、高度亮、超高分辨率与色彩饱和度、响应速度快、寿命长等优点，是目前热门研究的下一代显示器光源，且对微发光二极管的出光效率提出更高要求。现有提高微发光二极管的出光效率的方法包括在微发光二极管的侧壁镀有绝缘层或者对微发光二极管的出光面进行粗化。在对出光面粗化过程中，微发光二极管的侧壁暴露在蚀刻流体下，尤其是在微发光二极管的侧壁镀有绝缘层时，该绝缘层因暴露在蚀刻流体下受到损伤导致绝缘层失效，影响微发光二极管的出光效率。

发明内容

本申请的目的是提供一种微发光二极管，其能够在半导体堆叠层侧壁有绝缘层时，避免侧壁处的绝缘层因暴露在蚀刻流体下受到损伤而导致绝缘层失效，以提高微发光二极管的出光效率。

另一目的还在于提供一种微发光元件，以及一种显示器。

第一方面，本申请实施例提供一种微发光二极管，其包括：

半导体堆叠层，具有相对设置的第一表面和第二表面；第一表面包括粗糙部和平台部，平台部环绕于粗糙部的外围，且粗糙部相对于平台部向第二表面方向凹陷。

在一种可能的实施方案中，微发光二极管的宽度为2～5μm、5～10μm、10～20μm、20～50μm或50～100μm；

微发光二极管的长度为2～5μm、5～10μm、10～20μm、20～50μm或50～100μm。

在一种可能的实施方案中，粗糙部与第一表面边缘的距离D₂等于或大于0.5μm，且小于或等于1μm。

在一种可能的实施方案中，半导体堆叠层包括相连的第一部和第二部，第一部位于半导体堆叠层靠近第一表面的一侧，第二部位于半导体堆叠层远离第一表面的一侧；第一部的宽度等于第二部的宽度；

或者，第一部的宽度小于第二部的宽度；

或者，第一部的宽度大于第二部的宽度。

在一种可能的实施方案中，在第一部的宽度大于第二部的宽度时，第一部的厚度等于或大于0.5μm。

在一种可能的实施方案中，该微发光二极管还包括：

绝缘层，部分或完全覆盖半导体堆叠层的第二表面。

在一种可能的实施方案中，绝缘层为分布式布拉格反射镜；分布式布拉格反射镜的材料之一为氧化钛。

在一种可能的实施方案中，绝缘层覆盖的区域还包括半导体堆叠层的至少部分侧壁。

在一种可能的实施方案中，位于半导体堆叠层侧壁的绝缘层包括侧部和水平部，侧部与水平部的交点落在半导体堆叠层的内部。

在一种可能的实施方案中，侧部与水平部的交点位于半导体堆叠层远离粗糙部的一侧。

在一种可能的实施方案中，交点与半导体堆叠层最外侧之间的距离D₁等于或大于0.5μm。

在一种可能的实施方案中，该微发光二极管还包括：