[发明专利]微发光二极管、微发光元件及显示器

权利要求书

1.一种微发光二极管，其特征在于，包括：

半导体堆叠层，具有相对设置的第一表面和第二表面；所述第一表面包括粗糙部和平台部，所述平台部环绕于所述粗糙部的外围，且所述粗糙部相对于所述平台部向第二表面方向凹陷。

2.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述微发光二极管的宽度为2～5μm、5～10μm、10～20μm、20～50μm或50～100μm；

所述微发光二极管的长度为2～5μm、5～10μm、10～20μm、20～50μm或50～100μm。

3.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述粗糙部与所述第一表面边缘的距离D₂等于或大于0.5μm，且小于或等于1μm。

4.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述半导体堆叠层包括相连的第一部和第二部，所述第一部位于所述半导体堆叠层靠近第一表面的一侧，所述第二部位于所述半导体堆叠层远离第一表面的一侧；所述第一部的宽度等于所述第二部的宽度；

或者，所述第一部的宽度小于所述第二部的宽度；

或者，所述第一部的宽度大于所述第二部的宽度。

5.根据权利要求4所述的微发光二极管，其特征在于，在所述第一部的宽度大于所述第二部的宽度时，所述第一部的厚度等于或大于0.5μm。

6.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，还包括：

绝缘层，部分或完全覆盖所述半导体堆叠层的第二表面。

7.根据权利要求6所述的微发光二极管，其特征在于，所述绝缘层为分布式布拉格反射镜；所述分布式布拉格反射镜的材料之一为氧化钛。

8.根据权利要求6所述的微发光二极管，其特征在于，所述绝缘层覆盖的区域还包括所述半导体堆叠层的至少部分侧壁。

9.根据权利要求8所述的微发光二极管，其特征在于，位于半导体堆叠层侧壁的所述绝缘层包括侧部和水平部，所述侧部与所述水平部的交点落在所述半导体堆叠层的内部。

10.根据权利要求9所述的微发光二极管，其特征在于，所述侧部与所述水平部的交点位于所述半导体堆叠层远离粗糙部的一侧。

11.根据权利要求9所述的微发光二极管，其特征在于，所述交点与半导体堆叠层最外侧之间的距离D₁等于或大于0.5μm。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的微发光二极管，其特征在于，还包括：

保护层，至少覆盖所述平台部。

13.根据权利要求12所述的微发光二极管，其特征在于，所述保护层的材料包括氧化硅、氮化硅、氧化铝的一种或多种。

14.根据权利要求12所述的微发光二极管，其特征在于，所述保护层的厚度为100～20000埃。

15.一种微发光元件，其特征在于，包括：

基板；

至少一个微发光二极管，每个所述微发光二极管包括半导体堆叠层；所述半导体堆叠层具有相对设置的第一表面和第二表面；所述第一表面包括粗糙部和平台部，所述平台部环绕于所述粗糙部的外围，且所述粗糙部相对于所述平台部向第二表面方向凹陷。

16.根据权利要求15的微发光元件，其特征在于，所述基板包括金属基板、蓝宝石衬底、玻璃、硅衬底、碳化硅衬底或者支撑膜。