[发明专利]一种薄盐层建库的水平盐腔建造方法在审

专利信息
申请号: 202110505457.8 申请日: 2021-05-10
公开(公告)号: CN115324646A 公开(公告)日: 2022-11-11
发明(设计)人: 李康;完颜祺琪;冉莉娜;垢艳侠;李东旭;丁国生;郑得文 申请(专利权)人: 中国石油天然气股份有限公司
主分类号: E21F17/16 分类号: E21F17/16;E21B43/00;E21B43/30
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 闫加贺;姚亮
地址: 100007 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 薄盐层建库 水平 建造 方法
【说明书】:

发明提供了一种薄盐层建库的水平盐腔建造方法,该方法包括:步骤10、钻取直井,所述直井的完钻深度至薄盐层的底界以上,所述直井的固井深度至所述薄盐层的顶界以下,待所述直井完成后,下入直井注水管柱和第一排卤管柱进行建槽溶腔;步骤20、距离所述直井设定距离钻取水平井,并使所述水平井与所述直井连通,所述水平井具有依次连接的竖直段、造斜段和水平段;步骤30、对所述水平段进行分段溶腔操作;步骤40、对所述造斜段进行溶腔操作。该方法可有效利用盐层厚度小于100m的盐岩矿床建设盐穴储气库,提高了盐岩资源利用率;并且采用双井对流造腔方法,可极大加快造腔进度,缩短建库周期。

技术领域

本发明涉及一种薄盐层建库的水平盐腔建造方法,属于盐穴储气库的建造方法技术领域。

背景技术

我国已有盐穴储气库选址均位于层状盐岩中,相比于国外高品位、巨厚层的盐丘,我国盐穴储气库的盐层薄,品位低,建库地质条件较差。目前采用的造腔方法以单井双管垫层控制法为主,以双层管柱(中间管柱、中心管柱)、垫层控制(柴油或者氮气等阻溶剂注入腔体顶部,阻止盐腔过快上溶)、提拉管柱(采用自下而上分段造腔)为特征。此种方法通常要求盐层厚度大于100m才能收获明显的经济效益。盐层厚度小于100m的地层若采用传统单井双管垫层控制法建造,所得盐腔体积小,存储天然气库容量少,目前尚未有针对薄盐层的合理造腔方法。

因此,提供一种薄盐层建库的水平盐腔建造方法已经成为本领域亟需解决的技术问题。

发明内容

为了解决上述的缺点和不足,本发明的目的在于提供一种薄盐层建库的水平盐腔建造方法。

为了实现以上目的,本发明提供了一种薄盐层建库的水平盐腔建造方法,其中,所述薄盐层建库的水平盐腔建造方法包括:

步骤10、钻取直井,所述直井的完钻深度至薄盐层的底界以上,所述直井的固井深度至所述薄盐层的顶界以下,待所述直井完成后,下入直井注水管柱和第一排卤管柱进行建槽溶腔;

步骤20、距离所述直井设定距离钻取水平井,并使所述水平井与所述直井连通,所述水平井具有依次连接的竖直段、造斜段和水平段;

步骤30、对所述水平段进行分段溶腔操作;

步骤40、对所述造斜段进行溶腔操作。

根据本发明具体实施方案,在所述的薄盐层建库的水平盐腔建造方法中,优选地,所述步骤10中,建槽溶腔时的注水排量为30m3/h至50m3/h,建槽时间为一至两个月。

根据本发明具体实施方案,在所述的薄盐层建库的水平盐腔建造方法中,优选地,所述步骤10中,在进行建槽溶腔前,通过所述直井的生产套管环空注入阻溶剂至设定位置。

根据本发明具体实施方案,在所述的薄盐层建库的水平盐腔建造方法中,优选地,所述步骤10中,所述设定位置位于所述第一排卤管柱底部之上,且设定位置与第一排卤管柱底部之间的距离为2-4m。

根据本发明具体实施方案,在所述的薄盐层建库的水平盐腔建造方法中,优选地,所述直井的完钻深度至薄盐层的底界以上5m-10m。

根据本发明具体实施方案,在所述的薄盐层建库的水平盐腔建造方法中,优选地,所述直井的固井深度至所述薄盐层的顶界以下15m-20m。

根据本发明具体实施方案,在所述的薄盐层建库的水平盐腔建造方法中,优选地,所述步骤20包括:

距离所述直井200米以上钻取水平井,并使所述水平井与所述直井连通;

所述水平段具有深度相同的水平段起始点靶点与水平段终止点靶点,以使所述水平段终止点靶点位于所述直井进行建槽溶腔后形成的腔体中。

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