[发明专利]MLED显示面板及其制备方法

说明书

本申请实施例公开了一种MLED显示面板和一种MLED显示面板制备方法，MLED显示面板包括衬底、设置在衬底上方的栅绝缘层，栅绝缘层包括沿远离衬底方向依次层叠设置的第一子绝缘层、第二子绝缘层、第三子绝缘层，其中，栅绝缘层还包括补偿绝缘层，补偿绝缘层中氮原子数量与硅原子数量的比值至少大于第一子绝缘层/第二子绝缘层/第三子绝缘层中氮原子数量与硅原子数量的比值；通过在栅绝缘层内增设一补偿绝缘层，通过增大补偿绝缘层中氮原子与硅原子的比值，使补偿绝缘层的抗静电击穿能力大于栅绝缘层的其他膜层，提高了栅绝缘层的抗静电击穿能力。

技术领域

本申请涉及MLED显示技术领域，具体涉及一种MLED显示面板和一种MLED显示面板制备方法。

背景技术

MLED显示面板包括Mini LED显示面板和Micro-LED显示面板，由于Mini LED/Micro-LED背板为阵列单板，且上面有很多交叉走线，制程中这些交叠走线处易发生静电击穿。且受限于TFT器件的结构，栅绝缘层无法进一步加厚，导致MLED显示面板无法通过加厚栅绝缘层去改善静电击穿。

因此，现有MLED显示面板存在栅绝缘层抗静电击穿能力较弱的技术问题，需要改进。

发明内容

本申请实施例提供一种MLED显示面板和一种MLED显示面板制备方法，可以缓解现有MLED显示面板存在栅绝缘层抗静电击穿能力较弱的技术问题。

本申请实施例提供一种MLED显示面板，包括衬底、间隔设置在所述衬底上的发光器件和TFT器件，所述TFT器件包括；

设置在所述衬底上方的栅绝缘层，所述栅绝缘层包括沿远离所述衬底方向依次层叠设置的第一子绝缘层、第二子绝缘层、第三子绝缘层；

其中，所述栅绝缘层还包括补偿绝缘层，所述补偿绝缘层中氮原子数量与硅原子数量的比值至少大于所述第一子绝缘层/所述第二子绝缘层/所述第三子绝缘层中氮原子数量与硅原子数量的比值。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述补偿绝缘层的膜层密度大于所述第一子绝缘层的膜层密度。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述补偿绝缘层的膜层密度等于所述第二子绝缘层/第三子绝缘层的膜层密度。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述补偿绝缘层设置在所述第一子绝缘层朝向所述衬底的一侧表面。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述补偿绝缘层与所述第二子绝缘层/第三子绝缘层的制备材料相同。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一子绝缘层/所述第二子绝缘层/所述第三子绝缘层中所述氮原子数量与所述硅原子数量的比值为4.47:1，所述补偿绝缘层中所述氮原子数量与所述硅原子数量的比值为23:1。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述补偿绝缘层的厚度与所述第一子绝缘层的厚度之和小于或等于2600埃。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述补偿绝缘层设置在所述第一子绝缘层远离所述衬底的一侧表面。

本申请实施例提供一种MLED显示面板制备方法，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上方形成补偿绝缘层；

在所述补偿绝缘层上依次形成第一子绝缘层、第二子绝缘层、第三子绝缘层，制备得到TFT器件；

提供发光器件，将所述发光器件转移到所述衬底上，所述发光器件与所述TFT器件间隔排布。

可选的，在本申请的一些实施例中，形成补偿绝缘层的步骤包括：采用第一速率沉积形成所述补偿绝缘层，其中，所述第一子绝缘层采用第二速率沉积形成，所述第一速率小于所述第二速率。