[发明专利]MLED显示面板及其制备方法在审
| 申请号： | 202110504657.1 | 申请日： | 2021-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN113299667A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 程希 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77;H01L25/16;G09F9/33 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 陈斌 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mled 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种MLED显示面板，包括衬底、间隔设置在所述衬底上的发光器件和TFT器件，其特征在于，所述TFT器件包括；
设置在所述衬底上方的栅绝缘层，所述栅绝缘层包括沿远离所述衬底方向依次层叠设置的第一子绝缘层、第二子绝缘层、第三子绝缘层；
其中，所述栅绝缘层还包括补偿绝缘层，所述补偿绝缘层中氮原子数量与硅原子数量的比值至少大于所述第一子绝缘层/所述第二子绝缘层/所述第三子绝缘层中氮原子数量与硅原子数量的比值。
2.如权利要求1所述的MLED显示面板，其特征在于，所述补偿绝缘层的膜层密度大于所述第一子绝缘层的膜层密度。
3.如权利要求2所述的MLED显示面板，其特征在于，所述补偿绝缘层的膜层密度等于所述第二子绝缘层/第三子绝缘层的膜层密度。
4.如权利要求1所述的MLED显示面板，其特征在于，所述补偿绝缘层设置在所述第一子绝缘层朝向所述衬底的一侧表面。
5.如权利要求4所述的MLED显示面板，其特征在于，所述补偿绝缘层与所述第二子绝缘层/第三子绝缘层的制备材料相同。
6.如权利要求1所述的MLED显示面板，其特征在于，所述第一子绝缘层/所述第二子绝缘层/所述第三子绝缘层中所述氮原子数量与所述硅原子数量的比值为4.47:1，所述补偿绝缘层中所述氮原子数量与所述硅原子数量的比值为23:1。
7.如权利要求1所述的MLED显示面板，其特征在于，所述补偿绝缘层的厚度与所述第一子绝缘层的厚度之和小于或等于2600埃。
8.如权利要求1所述的MLED显示面板，其特征在于，所述补偿绝缘层设置在所述第一子绝缘层远离所述衬底的一侧表面。
9.一种MLED显示面板制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；
在所述衬底上方形成补偿绝缘层；
在所述补偿绝缘层上依次形成第一子绝缘层、第二子绝缘层、第三子绝缘层，制备得到TFT器件；
提供发光器件，将所述发光器件转移到所述衬底上，所述发光器件与所述TFT器件间隔排布。
10.如权利要求9所述的MLED显示面板制备方法，其特征在于，形成补偿绝缘层的步骤包括：
采用第一速率沉积形成所述补偿绝缘层，其中，所述第一子绝缘层采用第二速率沉积形成，所述第一速率小于所述第二速率。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
