[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

栅极结构，位于衬底上方；

栅极间隔件，与所述栅极结构相邻；

源极/漏极区域，与所述栅极间隔件相邻；

第一层间电介质(ILD)，位于所述源极/漏极区域上，所述第一层间电介质具有第一杂质浓度；

第二层间电介质，位于所述第一层间电介质上，所述第二层间电介质具有第二杂质浓度，所述第二杂质浓度小于所述第一杂质浓度，所述第二层间电介质、所述栅极间隔件和所述栅极结构的顶面共面；以及

源极/漏极接触件，延伸穿过所述第二层间电介质和所述第一层间电介质，所述源极/漏极接触件耦接至所述源极/漏极区域。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一杂质浓度在从所述第一层间电介质的顶部延伸至所述第一层间电介质的底部的方向上通过所述第一层间电介质降低。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二杂质浓度为零。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一层间电介质设置在所述源极/漏极区域周围的间隙中，并且所述第二层间电介质沿所述第一层间电介质的顶面延伸。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一层间电介质的厚度大于所述第二层间电介质的厚度。

6.一种半导体器件，包括：

栅极结构，位于衬底上方；

源极/漏极区域，与所述栅极结构相邻；

栅极间隔件，位于所述源极/漏极区域和所述栅极结构之间，所述栅极间隔件包括第一间隔件层和第二间隔件层，所述第一间隔件层靠近所述栅极结构，所述第一间隔件层包括具有第一原子百分比的氮的碳氮氧化硅，所述第二间隔件层靠近所述源极/漏极区域，所述第二间隔件层包括具有第二原子百分比的氮的碳氮氧化硅，所述第一原子百分比大于所述第二原子百分比；

蚀刻停止层，位于所述栅极间隔件的侧壁和所述源极/漏极区域的顶面上，所述蚀刻停止层包括具有第三原子百分比的氮的氮化硅，所述第三原子百分比大于所述第一原子百分比；

第一层间电介质(ILD)，位于所述蚀刻停止层上；以及

源极/漏极接触件，延伸穿过所述第一层间电介质和所述蚀刻停止层，所述源极/漏极接触件耦接至所述源极/漏极区域。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一原子百分比在10原子百分比至45原子百分比的范围内，所述第二原子百分比在10原子百分比至45原子百分比的范围内，并且所述第三原子百分比在15原子百分比至55原子百分比的范围内。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一层间电介质、所述栅极间隔件和所述栅极结构的顶面共面。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一层间电介质具有第一杂质浓度，所述半导体器件还包括：

第二层间电介质，位于所述第一层间电介质上，所述第二层间电介质具有第二杂质浓度，所述第二杂质浓度小于所述第一杂质浓度，所述源极/漏极接触件延伸穿过所述第二层间电介质，所述第二层间电介质、所述栅极间隔件和所述栅极结构的顶面共面。

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

在衬底上方形成栅极结构；

形成与所述栅极结构相邻的栅极间隔件；

生长与所述栅极间隔件相邻的源极/漏极区域；

在所述源极/漏极区域、所述栅极间隔件和所述栅极结构上沉积蚀刻停止层，所述蚀刻停止层具有氮浓度；

对所述蚀刻停止层实施氮化处理工艺，所述氮化处理工艺增大所述蚀刻停止层的所述氮浓度；

在所述蚀刻停止层上沉积第一层间电介质(ILD)，所述第一层间电介质具有杂质浓度；以及

对所述第一层间电介质实施氧化物固化工艺，所述氧化物固化工艺降低所述第一层间电介质的所述杂质浓度。