[发明专利]半导体腔室及半导体设备

说明书

本申请公开一种半导体腔室，包括腔室主体(100)和磁场调节机构(200)，磁场调节机构(200)包括支架(210)和多个磁性件(220)，其中：支架(210)设于腔室主体(100)之外，多个磁性件(220)活动地设于支架(210)上，多个磁性件(220)环绕腔室主体(100)设置，每个磁性件(220)均可在第一位置与第二位置之间切换，在磁性件(220)处于第一位置的情况下，磁性件(220)形成的磁场位于腔室主体(100)之外；在磁性件(220)处于第二位置的情况下，磁性件(220)形成的磁场至少部分位于腔室主体(100)之内。上述方案能够解决半导体腔室内的磁场强度存在调节不方便的问题。本申请还公开一种半导体设备。

技术领域

本申请涉及半导体加工领域，特别涉及一种半导体腔室及半导体设备。

背景技术

溅射是一种常用的半导体加工工艺，该工艺是通过荷能粒子轰击靶材，使得靶材表面逸出原子、分子或团束，逸出的原子、分子或团束沉积到待加工件上，从而能够在待加工件(例如晶圆)上形成薄膜。为了使荷能粒子撞击靶材后在待加工件上形成的薄膜均匀，需要引入磁场调节机构，磁场调节机构通过调节半导体腔室内的磁场分布状况来控制荷能粒子的分布。

近些年来，用垂直互连技术在高深宽比的通孔中沉积电介质层和金属层的重要性和挑战性日益显现。特别是对于深孔填充领域的应用，一方面拓展了PVD设备的应用领域，另一方面也对PVD设备提出了更高的要求。为了满足高深宽比的孔隙的填充，长程PVD技术被广泛应用，并引入磁场调节机构调节薄膜沉积的均匀性。在相关技术中，磁场调节机构调节半导体腔室内的磁场分布状况的方式是通过使磁场调节机构中的磁性件可拆卸，具体的，通过安装磁性件和拆卸磁性件的方式来调节磁场分布，这样的调节方式存在调节不方便的问题，进而会导致调节效率低下，进而会导致半导体加工工艺的加工效率低下。

发明内容

本申请提出一种半导体腔室及半导体设备，能够解决相关技术对半导体腔室内的磁场调节存在不方便的问题。

第一方面，本申请提出一种半导体腔室，包括腔室主体和磁场调节机构，所述磁场调节机构包括支架和多个磁性件，其中：

所述支架设于所述腔室主体之外，所述多个磁性件活动地设于所述支架上，所述多个磁性件环绕所述腔室主体设置，每个所述磁性件均可在第一位置与第二位置之间切换，

在所述磁性件处于所述第一位置的情况下，所述磁性件形成的磁场位于所述腔室主体之外；在所述磁性件处于所述第二位置的情况下，所述磁性件形成的磁场至少部分位于所述腔室主体之内。

第二方面，本申请提出了一种半导体设备，包括上述的半导体腔室。

与相关技术相比，本申请的有益效果如下：

本申请实施例公开的半导体腔室通过对相关技术进行改进，使得环绕腔室主体的多个磁性件活动地设置于支架上，进而使得每个磁性件能够相对于支架活动，进而来改变自身产生的磁场相对于腔室主体的位置，最终能够通过调整磁性件的位置来灵活地调整整个磁场调节机构施加于腔室主体上的磁场。相比于相关技术中通过拆卸或增加磁性件以改变磁性件的数量来调整磁场而言，本申请实施例公开的半导体腔室无疑能够使得对施加于腔室主体上的磁场进行调节操作变得较为简单、方便。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1和图2分别是本申请的一个实施例的半导体腔室在磁性件处于不同位置时的结构示意图；

图3和图4分别是本申请的另一个实施例的半导体腔室在磁性件处于不同位置时的结构示意图；

图5和图6分别是本申请的再一个实施例的半导体腔室在磁性件处于不同位置时的结构示意图；