[发明专利]半导体腔室及半导体设备

权利要求书

1.一种半导体腔室，其特征在于，包括腔室主体(100)和磁场调节机构(200)，所述磁场调节机构(200)包括支架(210、201、201′、201〞)和多个磁性件(220、202、202′、202〞)，其中：

所述支架(210、201、201′、201〞)设于所述腔室主体(100)之外，所述多个磁性件(220、202、202′、202〞)活动地设于所述支架(210、201、201′、201〞)上，所述多个磁性件(220、202、202′、202〞)环绕所述腔室主体(100)设置，每个所述磁性件(220、202、202′、202〞)均可在第一位置与第二位置之间切换，

在所述磁性件(220、202、202′、202〞)处于所述第一位置的情况下，所述磁性件(220、202、202′、202〞)形成的磁场位于所述腔室主体(100)之外；在所述磁性件(220、202、202′、202〞)处于所述第二位置的情况下，所述磁性件(220、202、202′、202〞)形成的磁场至少部分位于所述腔室主体(100)之内。

2.根据权利要求1所述的半导体腔室，其特征在于，所述支架(210、201、201′、201〞)包括依次对接的第一导磁件(211、211′)、隔磁件(212、212′)和第二导磁件(213、213′)，其中：

在所述磁性件(202)处于所述第二位置的情况下，所述第一导磁件(211)、所述隔磁件(212)和所述第二导磁件(213)均与所述磁性件(202)接触；

在所述磁性件(202)处于所述第一位置的情况下，所述隔磁件(212)与所述磁性件(202)接触，且所述第一导磁件(211)与所述第二导磁件(213)中的一者与所述磁性件(202)接触。

3.根据权利要求2所述的半导体腔室，其特征在于，所述支架(201′)为环状结构，所述第一导磁件(211′)为第一导磁环，所述隔磁件(212′)为隔磁环，所述第二导磁件(213′)为第二导磁环，所述第一导磁环、所述隔磁环和所述第二导磁环同轴设置，所述多个磁性件(202′)沿所述支架(201′)的圆周方向布置。

4.根据权利要求2所述的半导体腔室，其特征在于，所述支架(201〞)为多个，多个所述支架(201〞)围绕所述腔室主体(100)间隔设置，每个所述磁性件(202〞)一一对应地设于所述支架(201〞)上。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体腔室，其特征在于，所述第一导磁件(211′)开设有第一凹槽(211a)，所述隔磁件(212′)开设有通孔(212a)，所述第二导磁件(213′)开设有第二凹槽(213a)，所述第一凹槽(211a)、所述通孔(212a)和所述第二凹槽(213a)对接形成内腔，所述磁性件(202′)可沿第一方向滑动地设于所述内腔内，所述第一方向为所述多个磁性件(202′)围绕所形成的圆周的轴线方向。

6.根据权利要求5所述的半导体腔室，其特征在于，所述支架(201′)的第一端面开设有第一气孔(211b)，所述支架(201′)的第二端面开设有第二气孔(213b)，所述第一气孔(211b)和所述第二气孔(213b)均与所述内腔连通；

在所述第一气孔(211b)向所述内腔内充气，且所述第二气孔(213b)泄气的情况下，所述磁性件(202′)可自所述第一位置移动至所述第二位置；

在所述第二气孔(213b)向所述内腔内充气，且所述第一气孔(211b)泄气的情况下，所述磁性件(202′)可自所述第二位置移动至所述第一位置。

7.根据权利要求5所述的半导体腔室，其特征在于，所述内腔为多个，多个所述磁性件(202′)一一对应地设于多个所述内腔中。

8.根据权利要求5所述的半导体腔室，其特征在于，所述磁场调节机构(200)还包括第一密封圈(230)，所述第一密封圈(230)套设在所述磁性件(220)上，且所述第一密封圈(230)密封设置在所述磁性件(202′)与所述内腔的内壁之间。