[发明专利]晶圆加工装置、晶圆传送组件及其工作方法在审
申请号: | 202110500011.6 | 申请日: | 2021-05-08 |
公开(公告)号: | CN113206032A | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 金东镇 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;B08B5/02;B08B13/00 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 周修文 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加工 装置 传送 组件 及其 工作 方法 | ||
本发明涉及一种晶圆加工装置、晶圆传送组件及其工作方法,晶圆传送组件包括移动机构与吹扫结构。移动机构包括托盘。托盘能带动晶圆移动到工艺腔室中或者移出到工艺腔室的外部。吹扫机构设有吹扫面,吹扫面的吹扫区域能完全覆盖托盘上放置的晶圆。当移动机构的托盘带动晶圆位于工艺腔室的外部时,吹扫机构间隔地设于托盘的正上方,以使吹扫面与托盘上的晶圆面对面设置。保护气体正对晶圆吹扫晶圆的整个外表面的过程中能较好地避免在晶圆的表面上出现氧化或者附着颗粒物等污染现象,也能避免移动机构载着晶圆移动到工艺腔室的内部时同步将水汽带入到工艺腔室中,能保证晶圆的表面洁净度,也能避免晶圆表面被氧化,提高了产品质量。
技术领域
本发明涉及半导体加工技术领域,特别是涉及一种晶圆加工装置、晶圆传送组件及其工作方法。
背景技术
在晶圆的生产过程中,通常利用机械手臂来搬送晶圆,来实现将晶圆从空间中的一个位置传送到另一位置。例如,将晶圆从存储晶圆的负载腔室传送到工艺腔室中以对晶圆进行蚀刻等加工处理,还例如,将晶圆从其中一种类型的的工艺腔室传送到另一种类型的工艺腔室,以实现对晶圆进行不同类型的加工处理。
然而,传统的机械手臂在传送晶圆的过程中会存在如下洁净度问题:例如,晶圆移出到工艺腔室外时,由于晶圆表面仍然附着有一部分反应气体(例如二氧化硫与氟气),该反应气体会使得晶圆表面上容易吸附环境中的颗粒物造成晶圆表面污染;此外,晶圆会受到环境因素的影响,比如环境中的颗粒、金属离子等也会附着在晶圆表面,使晶圆品质恶化并对加工和处理过程产生影响;另外,晶圆转移过程中直接暴露在空气中时,晶圆表面会被空气中的氧气氧化并在晶圆的表面上形成薄的氧化膜,而且传送过程所需要的时间越长,晶圆暴露在空气中的时间越长,晶圆表面被氧化的程度越严重。
发明内容
基于此,有必要克服现有技术的缺陷,提供一种晶圆加工装置、晶圆传送组件及其工作方法,它能够保证晶圆的表面洁净度,能避免晶圆表面被氧化,提高产品质量。
其技术方案如下:一种晶圆传送组件,所述晶圆传送组件包括:
移动机构,所述移动机构包括托盘,所述托盘用于放置晶圆,所述移动机构的托盘能带动所述晶圆移动到工艺腔室中或者移出到所述工艺腔室的外部;
吹扫结构,所述吹扫机构设有吹扫面,所述吹扫面的吹扫区域能完全覆盖所述托盘上放置的晶圆,当所述移动机构的托盘带动所述晶圆位于所述工艺腔室的外部时,所述吹扫机构间隔地设于所述托盘的正上方,以使所述吹扫面与所述托盘上的晶圆面对面设置。
上述的晶圆传送组件,当移动机构的托盘载着晶圆位于工艺腔室的外部时,吹扫机构间隔地设于托盘的正上方,吹扫面与托盘上的晶圆面对面设置,这样吹扫面吹扫出来的保护气体能完全覆盖于托盘上放置的晶圆,对托盘上放置的晶圆起到较好的保护作用,使得晶圆的表面便不会与大气接触。即在移动机构载着晶圆移出到工艺腔室外部时,保护气体正对晶圆吹扫晶圆的整个外表面的过程中能较好地避免在晶圆的表面上出现氧化或者附着颗粒物等污染现象,也能避免移动机构载着晶圆移动到工艺腔室的内部时同步将水汽带入到工艺腔室中,如此能够较好地保证晶圆的表面洁净度,也能较好地避免晶圆表面被氧化,提高了产品质量。
在其中一个实施例中,所述吹扫面沿着垂直于所述托盘的表面的方向在所述托盘上的投影能完全覆盖所述托盘上放置的所述晶圆。
在其中一个实施例中,所述吹扫面为圆形面,所述圆形面的直径比所述晶圆的直径大5mm-40mm。
在其中一个实施例中,所述吹扫面上布置有若干个喷嘴或若干个喷气孔。
在其中一个实施例中,若干个所述喷嘴或若干个所述喷气孔阵均匀间隔地布置于所述吹扫面上。
在其中一个实施例中,位于所述吹扫面的中心区域的所述喷嘴或所述喷气孔向外喷出的气体呈发散状;位于所述吹扫面的中心以外区域的所述喷嘴或所述喷气孔的喷射方向相对于所述吹扫面倾斜设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造