[发明专利]功率半导体封装器件及功率变换器

权利要求书

1.一种功率半导体封装器件，其特征在于，包括：

功率半导体晶圆；

导热层，包括层叠的上导热层、绝缘层和下导热层；所述绝缘层位于所述上导热层和所述下导热层之间；所述上导热层与所述功率半导体晶圆贴合；

散热器，包括第一外表面，所述第一外表面与所述下导热层贴合；

密封件，用于包裹和密封所述功率半导体晶圆、以及至少部分所述导热层；

管脚，包括连接段和延伸段，所述连接段与所述功率半导体晶圆电连接，并同样包裹于所述密封件内；所述延伸段位于所述密封件之外，延伸段在散热器上的投影，至少部分位于第一外表面之内，且所述延伸段与所述第一外表面之间的最近距离，大于所述功率半导体晶圆的最高工作电压所对应的爬电距离。

2.根据权利要求1所述的功率半导体封装器件，其特征在于，所述连接段沿自身长度方向具有相对的第一端和第二端，所述第一端与所述功率半导体晶圆电连接，所述第二端与所述延伸段连接，且所述第一端与所述第一外表面之间的距离，小于所述第二端与所述第一外表面之间的距离。

3.根据权利要求1所述的功率半导体封装器件，其特征在于，所述管脚与所述上导热层固定连接，以实现所述管脚与所述功率半导体晶圆之间的电连接。

4.根据权利要求3所述的功率半导体封装器件，其特征在于，所述功率半导体晶圆包括第一功能端口，所述第一功能端口位于所述功率半导体晶圆靠近所述上导热层一侧，所述第一功能端口通过所述上导热层与所述管脚电连接。

5.根据权利要求4所述的功率半导体封装器件，其特征在于，所述功率半导体晶圆还包括第二功能端口，所述上导热层包括相互隔离的第一导热区和第二导热区，所述管脚的数量为两个，所述第一功能端口通过所述第一导热区与一个所述管脚导通，所述第二功能端口通过所述第二导热区与另一个所述管脚导通。

6.根据权利要求5所述的功率半导体封装器件，其特征在于，所述功率半导体封装器件包括连接线，所述连接线连接于所述第二功能端口与所述第二导热区之间，以实现所述第二功能端口与固定于所述第二导热区上的所述管脚之间的电连接。

7.根据权利要求6所述的功率半导体封装器件，其特征在于，所述连接线包括第一段和第二段，所述上导热层还包括中间导热区，所述第一段连接于所述第二功能端口与所述中间导热区之间，所述第二段连接于所述中间导热区与所述第二导热区之间。

8.根据权利要求1-7任一项所述的功率半导体封装器件，其特征在于，所述功率半导体封装器件还包括绝缘件，所述绝缘件位于所述第一外表面与所述延伸段之间。

9.根据权利要求1-7任一项所述的功率半导体封装器件，其特征在于，所述第一外表面包括第一区域和第二区域，所述下导热层于所述第一区域与所述第一外表面贴合，所述延伸段在所述第一外表面上的投影位于所述第二区域之内；在所述功率半导体晶圆与所述导热层层叠的方向上，所述延伸段与所述第一区域之间的距离，小于所述延伸段与所述第二区域之间的距离。

10.一种功率变换器，其特征在于，包括至少一个如权利要求1-9任一项所述的功率半导体封装器件，以及一个控制器，所述控制器用于控制所述至少一个功率半导体封装器件的导通和关断以进行功率变换。