[发明专利]包括调节电路的反应器系统

说明书

一种反应器系统的基座组件的，可以包括由基座外边缘限定的基座本体，基座本体包括基座外部部分和基座内部部分，其中基座外部部分邻近于基座外边缘，并且基座内部部分被至少部分地封闭在基座外部部分内；第一调节电路，包括边缘电极和耦接到边缘电极的第一谐振电路，其中边缘电极耦接到基座本体；第二调节电路，包括中央电极和耦接到中央电极的第二谐振电路，其中中央电极耦接到基座本体；其中边缘电极设置为比中央电极更邻近于基座外边缘。

技术领域

本公开总体上涉及一种半导体加工或反应器系统，并且特别是一种半导体反应器系统，以及其中包括的部件，其促进例如在衬底上在反应器内的表面上的更均匀的处理。

背景技术

反应室可以用于加工其中的衬底(例如，将各种材料层沉积到半导体衬底上)。衬底可以被置于反应室之内的基座上。衬底和基座两者可以被加热到期望的衬底温度设定点。在示例性衬底处理工艺中，一种或多种反应物气体可以被通过加热的衬底之上，使得材料的薄膜沉积在衬底表面上。在后续沉积、掺杂、光刻、蚀刻和其他工艺期间，这些层可以被制造为集成电路。

衬底的表面上的沉积或其他加工可以具有期望的图案。例如，可能期望在衬底上具有(多)层的沉积的材料，其具有衬底表面上的均匀厚度。即，材料的平均沉积可能是符合期望的。然而，在一些实例中，在衬底的一部分(例如，衬底的边缘)处或附近的材料沉积可能不同于衬底的另一区域(例如，更邻近衬底的中央的区域)上的沉积。相应地，允许在衬底的某些区域中调整衬底上的加工的量的能力(例如，以促进衬底的表面上的更平均和/或均匀沉积)的系统和方法因此是符合期望的。

发明内容

提供本发明内容以简化形式介绍概念的选择。在下面的本公开的示例实施例的详细描述中进一步详细描述了这些概念。本发明内容既不旨在标识所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保护的主题的范围。

在一些实施例中，提供了一种反应器系统。本文中所公开的反应器系统可以允许衬底上的可调材料沉积和/或衬底的加工，例如以实现更均匀衬底上的材料沉积和/或衬底的加工。

在各种实施例中，反应器系统可以包括：基座组件，包括由基座外边缘限定的基座本体，基座本体包括基座外部部分和基座内部部分，其中基座外部部分邻近于基座外边缘，并且基座内部部分被至少部分地封闭在基座外部部分内；第一调节电路，包括边缘电极和耦接到边缘电极的第一谐振电路，其中边缘电极耦接到基座本体；以及第二调节电路，包括中央电极和耦接到中央电极的第二谐振电路，其中中央电极耦接到基座本体。边缘电极可以设置为比中央电极更邻近基座外边缘。在各种实施例中，第一谐振电路可以包括第一电容器和/或第一电感器。在各种实施例中，第一电容器可以具有第一可调电容，和/或第一电感器可以具有第一可调电感。在各种实施例中，第一谐振电路还可以包括第一附加电容器。在各种实施例中，第二谐振电路可以包括第二电容器和/或第二电感器。在各种实施例中，第二电容器可以具有第二可调电容，和/或第二电感器可以具有第二可调电感。在各种实施例中，第二谐振电路还可以包括第二附加电容器。

在各种实施例中，边缘电极可以沿着基座外部部分的至少一部分跨越。在各种实施例中，基座组件还可以包括第二边缘电极，第二边缘电极沿着基座外部部分的第二部分跨越。基座外部部分的第二部分可以不同于边缘电极沿着其跨越的基座外部部分的一部分。在各种实施例中，第二边缘电极可以被包括在第一调节电路中并耦接到第一谐振电路，和/或第二边缘电极可以被包括在第三调节电路中并耦接到第三调节电路的第三谐振电路。在各种实施例中，第一调节电路还可以包括第一引线耦接到边缘电极和第一谐振电路且在边缘电极和第一谐振电路之间的第一引线，和/或第二调节电路还可以包括耦接到中央电极和第二谐振电路且在中央电极和第二谐振电路之间的第二引线。在各种实施例中，边缘电极的外边缘可以至少部分地限定第一形状，其中边缘电极空隙可以设置在第一形状内且被边缘电极至少部分地封闭。