[发明专利]包括调节电路的反应器系统在审
申请号: | 202110493981.8 | 申请日: | 2021-05-07 |
公开(公告)号: | CN113621944A | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 中野竜;庄司文孝 | 申请(专利权)人: | ASMIP私人控股有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/458;C23C16/52;H01L21/67 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 调节 电路 反应器 系统 | ||
1.一种反应器系统的基座组件,包括:
基座本体,由基座外边缘限定,所述基座本体包括基座外部部分和基座内部部分,其中所述基座外部部分邻近于基座外边缘,并且所述基座内部部分被至少部分地封闭在所述基座外部部分内;
第一调节电路,包括边缘电极和耦接到所述边缘电极的第一谐振电路,其中所述边缘电极耦接到所述基座本体;以及
第二调节电路,包括中央电极和耦接到所述中央电极的第二谐振电路,其中所述中央电极耦接到所述基座本体;
其中所述边缘电极设置为比所述中央电极更邻近于所述基座外边缘。
2.根据权利要求1所述的基座组件,其中所述第一谐振电路包括第一电容器和第一电感器中的至少一者。
3.根据权利要求2所述的基座组件,其中以下中的至少一者成立:
所述第一电容器具有第一可调电容,和
所述第一电感器具有第一可调电感。
4.根据权利要求3所述的基座组件,其中所述第一谐振电路还包括第一附加电容器。
5.根据权利要求1所述的基座组件,其中所述第二谐振电路包括第二电容器和第二电感器中的至少一者。
6.根据权利要求5所述的基座组件,其中以下中的至少一者成立:
所述第二电容器具有第二可调电容,和
所述第二电感器具有第二可调电感。
7.根据权利要求6所述的基座组件,其中所述第二谐振电路还包括第二附加电容器。
8.根据权利要求1所述的基座组件,其中所述边缘电极沿着所述基座外部部分的至少一部分跨越。
9.根据权利要求8所述的基座组件,还包括第二边缘电极,所述第二边缘电极沿着所述基座外部部分的第二部分跨越,其中所述基座外部部分的第二部分不同于所述边缘电极沿着其跨越的所述基座外部部分的所述部分,
其中,以下至少一者成立:
所述第二边缘电极被包括在所述第一调节电路中并耦接到所述第一谐振电路,或
所述第二边缘电极被包括在第三调节电路中并耦接到所述第三调节电路的第三谐振电路。
10.根据权利要求8所述的基座组件,其中所述第一调节电路还包括第一引线,所述第一引线耦接到所述边缘电极和所述第一谐振电路且在所述边缘电极与所述第一谐振电路之间,并且其中所述第二调节电路还包括第二引线,所述第二引线耦接到所述中央电极和所述第二谐振电路且在所述中央电极与所述第二谐振电路之间。
11.根据权利要求8所述的基座组件,其中所述边缘电极的外边缘至少部分地限定第一形状,其中边缘电极空隙被设置在所述第一形状内且被所述边缘电极至少部分地封闭。
12.根据权利要求11所述的基座组件,其中所述中央电极被中央电极外边缘限定且被设置在所述基座内部部分中并跨越所述基座内部部分的至少一部分。
13.根据权利要求12所述的基座组件,其中所述中央电极至少部分地设置在所述边缘电极空隙内。
14.根据权利要求13所述的基座组件,还包括第二中央电极,所述第二中央电极至少部分地设置在所述边缘电极空隙内并跨越所述基座内部部分的第二部分,其中所述基座内部部分的第二部分不同于所述中央电极所跨越的所述基座内部部分的一部分,
其中,以下至少一者成立:
所述第二中央电极被包括在所述第二调节电路中并耦接到所述第二谐振电路,或
所述第二中央电极被包括在第三调节电路中并耦接到所述第三调节电路的第三谐振电路。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的