[发明专利]一种图像传感器及其制作方法

说明书

本发明实施例提供一种图像传感器及其制作方法，该图像传感器包括硅基底，所述硅基底包括多个在第一方向上并排排列的感光区，所述感光区沿第二方向延伸，其中，所述第一方向和所述第二方向相互交叉；金属互联层，所述金属互联层位于所述硅基底的一侧，所述金属互联层邻近硅基底的表面分别与所述第一方向和所述第二方向平行；反射层，所述反射层位于所述金属互联层远离所述硅基底的一侧，所述反射层用于将通过所述硅基底的光反射至感光区；载片，所述载片位于所述反射层远离所述金属互联层的一侧。本发明实施例提供的图像传感器及其制作方法可以增加感光区的吸收效率，提高图像传感器的灵敏度。

技术领域

本发明涉及传感器领域，特别是涉及一种图像传感器及其制作方法。

背景技术

随着汽车、安防、医疗和物联网等市场的规模增长和重要性突出，CMOS图像传感器应用前景也更加光明，目前CMOS图像传感器市场规模基本达到139亿美元，预计接下来的五年的复合年增长率为9.4％。

近年以来，CMOS图像传感器从前照式发展到了背照式，背照式图像传感器的优势在于电路位于感光像素下方，从而增加感光区的感光面积及提升弱光环境下灵敏度。

但是，背照式技术也带来了新的问题，由于硅衬底在背照式制程中需要经过背面减薄，硅衬底的厚度减少到几微米，从而影响了感光区对光的吸收及转化效率，影响图像传感器的灵敏度。

发明内容

本发明实施例提供的图像传感器及其制作方法可以增加感光区的吸收效率，提高图像传感器的灵敏度。

第一方面，本发明实施例提供了一种图像传感器，该图像传感器包括：

硅基底，所述硅基底包括多个在第一方向上并排排列的感光区，所述感光区沿第二方向延伸，其中，所述第一方向和所述第二方向相互交叉；

金属互联层，所述金属互联层位于所述硅基底的一侧，所述金属互联层邻近硅基底的表面分别与所述第一方向和所述第二方向平行；

反射层，所述反射层位于所述金属互联层远离所述硅基底的一侧，所述反射层用于将通过所述硅基底的光反射至感光区；

载片，所述载片位于所述反射层远离所述金属互联层的一侧。

可选的，所述金属互联层包括介质层和设置在介质层中的多个金属互联结构；

所述金属互联结构与所述硅基底连接，且每一所述感光区对应一个所述金属互联结构。

可选的，所述感光区为掺杂区；

所述感光区的材料包括硅掺磷、硅掺砷或者硅掺硼。

可选的，本发明实施例提供的图像传感器还包括滤光片和微透镜；

所述滤光片位于所述硅基底远离所述金属互联层的一侧；

所述微透镜位于所述滤光片远离所述硅基底的一侧。

可选的，所述硅基底还包括隔离区；

所述隔离区位于所述硅基底靠近所述金属互联层的一侧；

所述感光区位于相邻两个所述隔离区之间。

可选的，所述硅基底在所述载片上的垂直投影与所述反射层在所述载片上的垂直投影重叠。

可选的，所述硅基底的厚度范围为2～3μm。

第二方面，本发明实施例还提供了一种图像传感器的制作方法，该制作方法包括：

提供一硅衬底，所述硅衬底包括多个在第一方向上并排排列的感光区，所述感光区沿第二方向延伸，其中，所述第一方向和所述第二方向相互交叉；