[发明专利]一种图像传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：

硅基底，所述硅基底包括多个在第一方向上并排排列的感光区，所述感光区沿第二方向延伸，其中，所述第一方向和所述第二方向相互交叉；

金属互联层，所述金属互联层位于所述硅基底的一侧，所述金属互联层邻近硅基底的表面分别与所述第一方向和所述第二方向平行；

反射层，所述反射层位于所述金属互联层远离所述硅基底的一侧，所述反射层用于将通过所述硅基底的光反射至感光区；

载片，所述载片位于所述反射层远离所述金属互联层的一侧。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述金属互联层包括介质层和设置在介质层中的多个金属互联结构；

所述金属互联结构与所述硅基底连接，且每一所述感光区对应一个所述金属互联结构。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述感光区为掺杂区；

所述感光区的材料包括硅掺磷、硅掺砷或者硅掺硼。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括滤光片和微透镜；

所述滤光片位于所述硅基底远离所述金属互联层的一侧；

所述微透镜位于所述滤光片远离所述硅基底的一侧。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述硅基底还包括隔离区；

所述隔离区位于所述硅基底靠近所述金属互联层的一侧；

所述感光区位于相邻两个所述隔离区之间。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述硅基底在所述载片上的垂直投影与所述反射层在所述载片上的垂直投影重叠。

7.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述硅基底的厚度范围为2～3μm。

8.一种图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：

提供一硅衬底，所述硅衬底包括多个在第一方向上并排排列的感光区，所述感光区沿第二方向延伸，其中，所述第一方向和所述第二方向相互交叉；

在所述硅衬底的一侧制作金属互联层，使所述金属互联层邻近硅衬底的表面分别与所述第一方向和所述第二方向平行；

提供一载片；

在所述载片一侧制作反射层，使所述反射层将通过所述硅基底的光反射至感光区；

将反射层与金属互联层连接，使所述反射层位于所述金属互联层远离所述硅衬底的一侧；

对所述硅衬底远离所述金属互联层的一侧进行减薄形成硅基底。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，通过键合的方式使反射层与金属互联层连接，使所述反射层位于所述金属互联层远离所述硅衬底的一侧。

10.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述硅衬底的厚度范围为720～770μm；

所述硅基底的厚度范围为2～3μm。