[发明专利]集成电路器件及其形成方法

说明书

本公开涉及集成电路器件及其形成方法。一种方法，包括：在栅极间隔件之间形成栅极结构；回蚀栅极结构以使其低于栅极间隔件的顶端；在经回蚀的栅极结构之上形成栅极电介质帽盖；执行离子注入工艺以在栅极电介质帽盖中形成掺杂区域；在栅极电介质帽盖之上沉积接触蚀刻停止层，并在接触蚀刻停止层之上沉积ILD层；执行第一蚀刻工艺以形成延伸穿过ILD层并在到达栅极电介质帽盖的掺杂区域之前终止的栅极接触件开口；执行第二蚀刻工艺以加深栅极接触件开口，其中，第二蚀刻工艺以比蚀刻接触蚀刻停止层更慢的蚀刻速率来蚀刻栅极电介质帽盖的掺杂区域；以及在经加深的栅极接触件开口中形成栅极接触件。

技术领域

本公开涉及集成电路器件及其形成方法。

背景技术

IC材料和设计的技术进步已经产生了几代IC，其中每一代都具有比上一代更小和更复杂的电路。在IC演变过程中，功能密度(例如，每芯片面积的互连器件的数量)通常增大，同时几何形状尺寸(即，使用制造工艺能够产生的最小组件(或线))减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。

发明内容

根据本公开的一个实施例，提供了一种形成集成电路器件的方法，包括：在栅极间隔件之间和半导体衬底之上形成栅极结构；回蚀所述栅极结构以使其低于所述栅极间隔件的顶端；在经回蚀的栅极结构之上形成栅极电介质帽盖；执行离子注入工艺以在所述栅极电介质帽盖中形成掺杂区域；在所述栅极电介质帽盖之上沉积接触蚀刻停止层，并在所述接触蚀刻停止层之上沉积层间电介质(ILD)层；执行第一蚀刻工艺以形成延伸穿过所述ILD层并在到达所述栅极电介质帽盖的掺杂区域之前终止的栅极接触件开口；执行第二蚀刻工艺以加深所述栅极接触件开口，其中，所述第二蚀刻工艺以比蚀刻所述接触蚀刻停止层更慢的蚀刻速率来蚀刻所述栅极电介质帽盖的掺杂区域；以及在经加深的栅极接触件开口中形成栅极接触件。

根据本公开的另一实施例，提供了一种形成集成电路器件的方法，包括：在第一栅极结构之上形成第一栅极电介质帽盖，并在第二栅极结构之上形成第二栅极电介质帽盖；在所述第一栅极电介质帽盖中形成第一掺杂区域，并在所述第二栅极电介质帽盖中形成第二掺杂区域；在所述第一栅极电介质帽盖和所述第二栅极电介质帽盖之上沉积接触蚀刻停止层，并在所述接触蚀刻停止层之上沉积层间电介质(ILD)层；执行第一蚀刻工艺以形成延伸穿过所述ILD层的第一栅极接触件开口和第二栅极接触件开口，使得暴露出所述接触蚀刻停止层，其中，所述第一栅极接触件开口的宽度小于所述第二栅极接触件开口的宽度；对所述接触蚀刻停止层执行第二蚀刻工艺以使所述第一栅极接触件开口和所述第二栅极接触件开口朝向所述第一栅极结构和所述第二栅极结构延伸，其中，在所述第二蚀刻工艺蚀刻穿过所述第一栅极电介质帽盖中的所述第一掺杂区域之后，所述第一栅极接触件开口的侧壁轮廓变得比蚀刻所述第一掺杂区域之前更垂直；以及在执行所述第二蚀刻工艺之后，在所述第一栅极接触件开口中形成第一栅极接触件，并且在所述第二栅极接触件开口中形成第二栅极接触件。

根据本公开的又一实施例，提供了一种集成电路器件，包括：源极/漏极外延结构，位于衬底之上；源极/漏极接触件，分别位于所述源极/漏极外延结构之上；栅极结构，横向地位于所述源极/漏极接触件之间；栅极电介质帽盖，位于所述栅极结构之上并具有分别接触所述源极/漏极接触件的相反的侧壁，其中，所述栅极电介质帽盖具有从所述栅极电介质帽盖的顶表面延伸到所述栅极电介质帽盖中的掺杂区域；接触蚀刻停止层，在所述源极/漏极接触件和所述栅极电介质帽盖之上延伸；层间电介质(ILD)层，位于所述接触蚀刻停止层之上；以及栅极接触件，延伸穿过所述ILD层、所述接触蚀刻停止层和所述栅极电介质帽盖的掺杂区域以与所述栅极结构电连接。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本公开的各方面。值得注意的是，根据行业的标准实践，各种特征没有按比例绘制。事实上，为了讨论的清楚起见，各种特征的尺寸可能被任意地增大或缩小了。

图1至图20B示出了根据本公开的一些实施例的集成电路结构的形成中的中间阶段的透视图和截面图。