[发明专利]集成电路器件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成集成电路器件的方法，包括：

在栅极间隔件之间和半导体衬底之上形成栅极结构；

回蚀所述栅极结构以使其低于所述栅极间隔件的顶端；

在经回蚀的栅极结构之上形成栅极电介质帽盖；

执行离子注入工艺以在所述栅极电介质帽盖中形成掺杂区域；

在所述栅极电介质帽盖之上沉积接触蚀刻停止层，并在所述接触蚀刻停止层之上沉积层间电介质ILD层；

执行第一蚀刻工艺以形成延伸穿过所述ILD层并在到达所述栅极电介质帽盖的掺杂区域之前终止的栅极接触件开口；

执行第二蚀刻工艺以加深所述栅极接触件开口，其中，所述第二蚀刻工艺以比蚀刻所述接触蚀刻停止层更慢的蚀刻速率来蚀刻所述栅极电介质帽盖的掺杂区域；以及

在经加深的栅极接触件开口中形成栅极接触件。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二蚀刻工艺以比蚀刻所述栅极电介质帽盖中的掺杂区域更快的蚀刻速率来蚀刻所述栅极电介质帽盖的未掺杂区域。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅极电介质帽盖由与所述接触蚀刻停止层相同的材料形成。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅极电介质帽盖和所述接触蚀刻停止层是基于氮化物的。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述离子注入工艺将氧、锗、氩、氙或硼注入到所述栅极电介质帽盖中。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅极电介质帽盖中的掺杂区域具有比所述接触蚀刻停止层更高的氧浓度。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅极电介质帽盖中的掺杂区域具有比所述栅极电介质帽盖中的未掺杂区域更高的氧浓度。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在执行所述离子注入工艺之后，对所述栅极电介质帽盖执行退火工艺。

9.一种形成集成电路器件的方法，包括：

在第一栅极结构之上形成第一栅极电介质帽盖，并在第二栅极结构之上形成第二栅极电介质帽盖；

在所述第一栅极电介质帽盖中形成第一掺杂区域，并在所述第二栅极电介质帽盖中形成第二掺杂区域；

在所述第一栅极电介质帽盖和所述第二栅极电介质帽盖之上沉积接触蚀刻停止层，并在所述接触蚀刻停止层之上沉积层间电介质ILD层；

执行第一蚀刻工艺以形成延伸穿过所述ILD层的第一栅极接触件开口和第二栅极接触件开口，使得暴露出所述接触蚀刻停止层，其中，所述第一栅极接触件开口的宽度小于所述第二栅极接触件开口的宽度；

对所述接触蚀刻停止层执行第二蚀刻工艺以使所述第一栅极接触件开口和所述第二栅极接触件开口朝向所述第一栅极结构和所述第二栅极结构延伸，其中，在所述第二蚀刻工艺蚀刻穿过所述第一栅极电介质帽盖中的所述第一掺杂区域之后，所述第一栅极接触件开口的侧壁轮廓变得比蚀刻所述第一掺杂区域之前更垂直；以及

在执行所述第二蚀刻工艺之后，在所述第一栅极接触件开口中形成第一栅极接触件，并且在所述第二栅极接触件开口中形成第二栅极接触件。

10.一种集成电路器件，包括：

源极/漏极外延结构，位于衬底之上；

源极/漏极接触件，分别位于所述源极/漏极外延结构之上；

栅极结构，横向地位于所述源极/漏极接触件之间；

栅极电介质帽盖，位于所述栅极结构之上并具有分别接触所述源极/漏极接触件的相反的侧壁，其中，所述栅极电介质帽盖具有从所述栅极电介质帽盖的顶表面延伸到所述栅极电介质帽盖中的掺杂区域；

接触蚀刻停止层，在所述源极/漏极接触件和所述栅极电介质帽盖之上延伸；

层间电介质ILD层，位于所述接触蚀刻停止层之上；以及

栅极接触件，延伸穿过所述ILD层、所述接触蚀刻停止层和所述栅极电介质帽盖的掺杂区域以与所述栅极结构电连接。