[发明专利]薄膜晶体管阵列基板和显示装置

说明书

本发明涉及薄膜晶体管阵列基板和显示装置。该薄膜晶体管阵列基板包括：基板；设置在基板上的薄膜晶体管，其中薄膜晶体管包括包含沟道区的半导体层以及与沟道区重叠的栅电极；以及存储电容器，该存储电容器包括设置在沟道区上的下电极以及被设置成与下电极重叠的上电极，其中具有单个闭合曲线形状的开口被限定为穿过上电极。在平面上，上电极包括各自暴露下电极的边缘的第一凹陷部分和第二凹陷部分。

本申请要求2020年5月13日提交至韩国知识产权局的第10-2020-0057187号韩国专利申请的优先权，该申请的内容通过引用整体合并于此。

技术领域

一个或多个实施例涉及薄膜晶体管阵列基板以及包括该薄膜晶体管阵列基板的显示装置。

背景技术

随着信息社会发展，对用于显示图像的各种显示装置的需求正在增长。在显示装置领域，薄、重量轻和大面积的平板显示装置(FPD)代替笨重的阴极射线管(CRT)被广泛使用。例如，FPD可以包括液晶显示装置(LCD)、等离子体显示面板(PDP)、有机发光显示装置(OLED)和电泳显示装置(EPD)。

这样的显示装置可以通过使用多个像素来显示图像。每个像素可以包括像素电路和显示元件，并且像素电路可以连接到扫描线和数据线。像素电路可以包括连接到扫描线或数据线的存储电容器和至少一个薄膜晶体管。

像素电路的薄膜晶体管和存储电容器可以在有限的空间内以各种结构被布置。

发明内容

一个或多个实施例包括薄膜晶体管阵列基板和显示装置，在该薄膜晶体管阵列基板和显示装置中，在保持像素电路的存储电容器的电容或充电电压的同时，增加驱动薄膜晶体管的半导体层的长度。

根据实施例，薄膜晶体管阵列基板包括：基板；设置在基板上的薄膜晶体管，其中薄膜晶体管包括包含沟道区的半导体层以及与沟道区重叠的栅电极；以及存储电容器，该存储电容器包括设置在沟道区上的下电极以及被设置成与下电极重叠的上电极，其中具有单个闭合曲线形状的开口被限定为穿过上电极。在这样的实施例中，在平面上，上电极包括各自暴露下电极的边缘的第一凹陷部分和第二凹陷部分。

在实施例中，第一凹陷部分暴露下电极的第一边缘部分，第二凹陷部分暴露下电极的第二边缘部分，并且第一边缘部分和第二边缘部分在预定方向上彼此平行地被设置。

在实施例中，第一边缘部分的面积与第二边缘部分的面积的和可以是恒定的。

在实施例中，由第一凹陷部分暴露的第一边缘部分的第一边缘长度可以与由第二凹陷部分暴露的第二边缘部分的第二边缘长度相同。

在实施例中，薄膜晶体管阵列基板可以进一步包括在第一方向上延伸的扫描线，其中第一边缘部分和第二边缘部分可以在第一方向上彼此平行地被设置。

在实施例中，沟道区与从第一边缘部分和第二边缘部分中选择的至少一个重叠。

在实施例中，薄膜晶体管阵列基板进一步包括在第一方向上延伸的扫描线，其中第一边缘部分和第二边缘部分在与第一方向交叉的第二方向上彼此平行地被设置。

在实施例中，薄膜晶体管阵列基板可以进一步包括通过开口连接到下电极的节点连接线。

在实施例中，至少一个薄膜晶体管可以包括补偿薄膜晶体管，并且补偿薄膜晶体管连接到节点连接线。

在实施例中，至少一个薄膜晶体管可以包括驱动薄膜晶体管，并且驱动薄膜晶体管的驱动栅电极与下电极一体地形成为单个整体单元。

在实施例中，驱动薄膜晶体管的驱动半导体层可以具有弯曲形状。