[发明专利]薄膜晶体管阵列基板和显示装置在审
申请号: | 202110489840.9 | 申请日: | 2021-05-06 |
公开(公告)号: | CN113675219A | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 李元世;全裕珍 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 史迎雪;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管阵列基板,包括:
基板;
薄膜晶体管,设置在所述基板上,其中所述薄膜晶体管包括包含沟道区的半导体层以及与所述沟道区重叠的栅电极;以及
存储电容器,包括设置在所述沟道区上的下电极以及被设置成与所述下电极重叠的上电极,其中具有单个闭合曲线形状的开口被限定为穿过所述上电极,
其中,在平面上,所述上电极包括各自暴露所述下电极的边缘的第一凹陷部分和第二凹陷部分。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板,其中,
所述第一凹陷部分暴露所述下电极的第一边缘部分,
所述第二凹陷部分暴露所述下电极的第二边缘部分,并且
所述第一边缘部分和所述第二边缘部分在预定方向上彼此平行地被设置。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板,其中,所述第一边缘部分的面积与所述第二边缘部分的面积的和是恒定的。
4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板,其中,由所述第一凹陷部分暴露的所述第一边缘部分的第一边缘长度与由所述第二凹陷部分暴露的所述第二边缘部分的第二边缘长度相同。
5.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板,进一步包括:
扫描线,在第一方向上延伸,
其中所述第一边缘部分和所述第二边缘部分在所述第一方向上彼此平行地被设置,并且
所述沟道区与从所述第一边缘部分和所述第二边缘部分中选择的至少一个重叠。
6.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板,进一步包括:
扫描线,在第一方向上延伸,
其中所述第一边缘部分和所述第二边缘部分在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此平行地被设置。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板,进一步包括:
节点连接线,通过所述开口连接到所述下电极,其中
所述薄膜晶体管包括补偿薄膜晶体管,并且
所述补偿薄膜晶体管连接到所述节点连接线。
8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板,其中,
所述薄膜晶体管包括驱动薄膜晶体管,并且
所述驱动薄膜晶体管的驱动栅电极与所述下电极一体地形成为单个整体单元。
9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列基板,其中,所述驱动薄膜晶体管的驱动半导体层具有弯曲形状。
10.一种显示装置,包括:
基板;
扫描线,在所述基板上在第一方向上延伸;
数据线,在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸;
像素电路,电连接到所述扫描线和所述数据线;以及
显示元件,连接到所述像素电路,
其中所述像素电路包括:
驱动薄膜晶体管,设置在所述基板上,其中所述驱动薄膜晶体管包括包含驱动沟道区的驱动半导体层以及被设置成与所述驱动沟道区重叠的驱动栅电极;以及
存储电容器,包括与所述驱动栅电极一体地形成为单个整体单元的下电极以及与所述下电极重叠的上电极,其中具有单个闭合曲线形状的开口被限定为穿过所述上电极,
其中,在平面上,所述上电极包括各自暴露所述下电极的边缘的第一凹陷部分和第二凹陷部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的