[发明专利]集成电路结构及其制造方法

说明书

本申请涉及集成电路结构及其制造方法。一种方法包括：在衬底之上形成栅极结构。在栅极结构之上形成电介质帽盖。在衬底之上的源极/漏极区域之上形成源极/漏极接触件。在电介质帽盖之上选择性地形成蚀刻停止层，使得该蚀刻停止层暴露源极/漏极接触件。在蚀刻停止层和源极/漏极接触件之上形成层间电介质。在ILD中形成源极/漏极过孔，并且该源极/漏极过孔连接到源极/漏极接触件。

技术领域

本公开涉及半导体领域，更具体地涉及集成电路结构及其制造方法。

背景技术

IC材料和设计的技术进步已经产生了几代IC，其中每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。在IC演进过程中，功能密度(例如，单位芯片面积的互连器件的数量)通常增大，同时几何尺寸(例如，使用制造工艺能够产生的最小组件(或线))减小。这种缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。

发明内容

根据本公开的第一方面，提供了一种用于形成半导体器件的方法，包括：在衬底之上形成栅极结构；在所述栅极结构之上形成电介质帽盖；在源极/漏极区域之上形成源极/漏极接触件，所述源极/漏极区域靠近所述栅极结构并且位于所述衬底之上；在所述电介质帽盖之上选择性地形成蚀刻停止层，而不与所述源极/漏极接触件交叠；在所述蚀刻停止层和所述源极/漏极接触件之上沉积层间电介质(ILD)层；以及形成源极/漏极过孔，所述源极/漏极过孔延伸穿过所述ILD层到所述源极/漏极接触件。

根据本公开的第二方面，提供了一种半导体器件，包括：源极/漏极接触件，所述源极/漏极接触件位于晶体管的源极/漏极区域之上；蚀刻停止层，所述蚀刻停止层位于所述晶体管的栅极结构之上，其中，所述蚀刻停止层具有高于所述源极/漏极接触件的阶梯距离，并且所述蚀刻停止层具有与所述源极/漏极接触件的侧壁基本上对准的侧壁；层间电介质(ILD)层，所述层间电介质(ILD)层位于所述蚀刻停止层上方；以及源极/漏极过孔，所述源极/漏极过孔延伸穿过所述ILD层到所述源极/漏极接触件。

根据本公开的第三方面，提供了一种半导体器件，包括：第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件，所述第一源极/漏极接触件和所述第二源极/漏极接触件分别位于晶体管的第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之上；蚀刻停止层，所述蚀刻停止层位于所述晶体管的栅极结构之上；层间电介质(ILD)层，所述ILD层位于所述蚀刻停止层之上，并且所述ILD层具有阶梯状的底表面，该阶梯状的底表面具有与所述第一源极/漏极接触件的顶表面接触的下阶梯以及与所述蚀刻停止层的顶表面接触的上阶梯；以及过孔结构，所述过孔结构延伸穿过所述ILD层和所述蚀刻停止层到所述栅极结构。

附图说明

当结合附图进行阅读时，通过以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。要注意的是，根据行业的标准惯例，各种特征并未按比例绘制。事实上，为了讨论的清楚，各种特征的尺寸可能被任意地增大或缩小。

图1-16B示出了根据本公开的一些实施例的形成集成电路结构的中间阶段的透视图和截面图。

图17-18B示出了根据本公开的一些其他实施例的用于制造集成电路结构的各个阶段的示例性截面图。

图19-21示出了根据本公开的一些其他实施例的用于制造集成电路结构的各个阶段的示例性截面图。

图22-25示出了根据本公开的一些其他实施例的用于制造集成电路结构的各个阶段的示例性截面图。

图26-43B示出了根据本公开的一些实施例的形成集成电路结构的中间阶段的透视图和截面图。

图44A和图44B是根据一些实施例的集成电路结构的截面图。

图45-48示出了根据本公开的一些其他实施例的用于制造集成电路结构的各个阶段的示例性截面图。

具体实施方式