[发明专利]集成电路结构及其制造方法

权利要求书

1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：

在衬底之上形成栅极结构；

在所述栅极结构之上形成电介质帽盖；

在源极/漏极区域之上形成源极/漏极接触件，所述源极/漏极区域靠近所述栅极结构并且位于所述衬底之上；

在所述电介质帽盖之上选择性地形成蚀刻停止层，而不与所述源极/漏极接触件交叠；

在所述蚀刻停止层和所述源极/漏极接触件之上沉积层间电介质(ILD)层；以及

形成源极/漏极过孔，所述源极/漏极过孔延伸穿过所述ILD层到所述源极/漏极接触件。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，选择性地形成所述蚀刻停止层通过使用选择性原子层沉积工艺来执行。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，选择性地形成所述蚀刻停止层包括：

在所述源极/漏极接触件之上形成阻挡层，使得所述阻挡层暴露所述电介质帽盖；

在所述电介质帽盖之上沉积所述蚀刻停止层；以及

在沉积所述蚀刻停止层之后去除所述阻挡层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述阻挡层是聚合物、苯并三唑(BTA)、或自组装单层(SAM)。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述电介质帽盖之前回蚀刻所述栅极结构。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述ILD层使得所述ILD层具有阶梯状的底表面，该阶梯状的底表面具有与所述蚀刻停止层接触的上阶梯以及与所述源极/漏极接触件接触的下阶梯。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述ILD层中形成所述源极/漏极过孔包括：执行蚀刻工艺以形成延伸穿过所述ILD层以暴露所述源极/漏极接触件的开口，其中，所述蚀刻工艺以比蚀刻所述蚀刻停止层更快的蚀刻速率来蚀刻所述ILD层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，执行所述蚀刻工艺使得所述开口进一步暴露所述蚀刻停止层。

9.一种半导体器件，包括：

源极/漏极接触件，所述源极/漏极接触件位于晶体管的源极/漏极区域之上；

蚀刻停止层，所述蚀刻停止层位于所述晶体管的栅极结构之上，其中，所述蚀刻停止层具有高于所述源极/漏极接触件的阶梯距离，并且所述蚀刻停止层具有与所述源极/漏极接触件的侧壁基本上对准的侧壁；

层间电介质(ILD)层，所述层间电介质(ILD)层位于所述蚀刻停止层上方；以及

源极/漏极过孔，所述源极/漏极过孔延伸穿过所述ILD层到所述源极/漏极接触件。

10.一种半导体器件，包括：

第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件，所述第一源极/漏极接触件和所述第二源极/漏极接触件分别位于晶体管的第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之上；

蚀刻停止层，所述蚀刻停止层位于所述晶体管的栅极结构之上；

层间电介质(ILD)层，所述ILD层位于所述蚀刻停止层之上，并且所述ILD层具有阶梯状的底表面，该阶梯状的底表面具有与所述第一源极/漏极接触件的顶表面接触的下阶梯以及与所述蚀刻停止层的顶表面接触的上阶梯；以及

过孔结构，所述过孔结构延伸穿过所述ILD层和所述蚀刻停止层到所述栅极结构。