[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法

说明书

一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，抑制因蚀刻产生的形状异常，提高等离子体蚀刻的处理性能。等离子体处理装置包括等离子体处理腔室、基片支承部、源RF生成部和偏置DC生成部。基片支承部配置在等离子体处理腔室内，包括下部电极。源RF生成部生成用于在等离子体处理腔室内产生等离子体的、交替包含高状态和低状态的源RF信号。偏置DC生成部与下部电极连接，生成交替地包含接通状态和关断状态的偏置DC信号，接通状态的时段和关断状态的时段分别对应于源RF信号的高状态时段和低状态时段，各接通状态包含多个循环，各循环包含具有第一电压电平的第一脉冲的第一序列和具有与第一电压电平不同的第二电压电平的第二脉冲的第二序列。

技术领域

以下所公开的本发明涉及一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。

背景技术

专利文献1公开了一种在使用感应耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma：ICP，也称为变压器耦合等离子体(Transformer Coupled Plasma：TCP))的装置中使RF(Radio Frequency：射频)信号脉冲化的技术。该专利文献1公开了例如以脉冲序列为逆的方式使供给到线圈的源RF信号和供给到卡盘的偏置RF信号同步的技术。

现有技术文件

专利文件

专利文献1：美国专利申请公开号2017/0040174说明书

发明内容

发明要解决的技术课题

本发明提供了一种能够抑制因蚀刻而产生的形状异常，从而提高等离子体蚀刻的处理性能的技术。

用于解决技术课题的技术方案

根据本发明的一方面的等离子体处理装置包括等离子体处理腔室、基片支承部、源RF生成部和偏置DC生成部。基片支承部配置在等离子体处理腔室内，并且包括下部电极。源RF生成部构成为生成用于在等离子体处理腔室内产生等离子体的源RF(射频)信号，源RF信号交替地包含高状态和低状态。偏置DC生成部连接到下部电极，并且构成为生成偏置DC(Direct Current：直流)信号，偏置DC信号交替地包含接通状态和关断状态，接通状态的时段对应于源RF信号的高状态的时段，关断状态的时段对应于源RF信号的低状态的时段，各接通状态包含多个循环，各循环包含第一脉冲的第一序列和第二脉冲的第二序列，第一脉冲具有第一电压电平，第二脉冲具有与第一电压电平不同的第二电压电平。

发明效果

根据本发明，能够抑制因蚀刻而引起的形状异常，从而提高等离子体蚀刻的处理性能。

附图说明

图1是实施方式的等离子体处理装置的构成的概念图。

图2是表示图1的等离子体处理装置的构成的一例的概要纵截面图。

图3是表示实施方式的等离子体处理的流程的一例的流程图。

图4是表示通过实施方式的等离子体处理进行处理的基片的一例的图。

图5是表示实施方式的等离子体处理中使用的RF信号和偏置DC信号的波形的第一例的图。

图6是说明实施方式的等离子体处理的特性的变化的图。

图7是表示通过实施方式的等离子体处理进行处理的基片的一例的图。

图8是表示实施方式的等离子体处理中使用的RF信号和偏置DC信号的波形的第二例的图。

图9是表示实施方式的等离子体处理中使用的RF信号和偏置DC信号的波形的第三例的图。

图10是表示实施方式的等离子体处理中使用的RF信号和偏置DC信号的波形的第四例的图。