[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

等离子体处理腔室；

基片支承部，其被配置在所述等离子体处理腔室内，并且包括下部电极；

源RF生成部，构成为生成用于在所述等离子体处理腔室内产生等离子体的源RF信号，所述源RF信号交替地包含高状态和低状态；和

偏置DC生成部，其连接到所述下部电极并且构成为生成偏置DC信号，所述偏置DC信号交替地包含接通状态和关断状态，所述接通状态的时段对应于所述源RF信号的高状态的时段，所述关断状态的时段对应于所述源RF信号的低状态的时段，各接通状态包含多个循环，各循环包含第一脉冲的第一序列和第二脉冲的第二序列，所述第一脉冲具有第一电压电平，所述第二脉冲具有与所述第一电压电平不同的第二电压电平。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括配置在所述等离子体处理腔室上方的至少一个线圈，

所述源RF生成部连接到所述至少一个线圈。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括配置在所述等离子体处理腔室内的上部电极，

所述源RF生成部连接到所述上部电极。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述源RF信号具有大于13MHz的频率。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述偏置DC信号具有100～400kHz范围的脉冲频率。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述偏置DC信号在所述第一序列与所述第二序列之间具有1～30kHz范围的切换频率。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括偏置RF生成部，所述偏置RF生成部连接到所述下部电极，并且构成为生成偏置RF信号。

8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述偏置RF信号交替地包含高状态和低状态，并且所述偏置RF信号的从高状态向低状态的转变相对于所述源RF信号的从高状态向低状态的转变而被偏移。

9.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述偏置RF信号的从低状态向高状态的转变相对于所述源RF信号的从高状态向低状态的转变而被偏移–100μs～+100μs的范围。

10.根据权利要求7～9中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述偏置RF信号具有大于2MHz的频率。

11.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

等离子体处理腔室；

基片支承部，其被配置在所述等离子体处理腔室内，并且包括下部电极；

RF生成部，连接到所述下部电极并且构成为生成RF信号，所述RF信号交替地包含高状态和低状态；和

DC生成部，连接到所述下部电极并且构成为生成DC信号，所述DC信号交替地包含接通状态和关断状态，所述接通状态的时段对应于所述RF信号的高状态的时段，所述关断状态的时段对应于所述RF信号的低状态的时段，各接通状态包含多个循环，各循环包括第一脉冲的第一序列和第二脉冲的第二序列，所述第一脉冲具有第一电压电平，所述第二脉冲具有与所述第一电压电平不同的第二电压电平。

12.一种等离子体处理装置所使用的等离子体处理方法，其特征在于，

所述等离子体处理装置包括：

等离子体处理腔室；

源RF生成部，生成用于在所述等离子体处理腔室内产生等离子体的源RF信号；和

偏置DC生成部，连接到下部电极，生成偏置DC信号，所述方法包括下述步骤：

(a)生成具有高状态的源RF信号的步骤；

(b)在所述(a)期间连续地生成具有第一脉冲的偏置DC信号的步骤，所述第一脉冲具有第一电压电平；

(c)在所述(a)期间连续地生成具有第二脉冲的偏置DC信号的步骤，所述第二脉冲具有与所述第一电压电平不同的第二电压电平；

(d)重复所述(b)和所述(c)的步骤；

(e)生成具有低状态的源RF信号的步骤；以及

(f)在所述(e)期间使偏置DC信号为关断状态的步骤。