[发明专利]基板处理装置和基板处理方法在审
申请号: | 202110489607.0 | 申请日: | 2021-05-06 |
公开(公告)号: | CN113675109A | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 本田拓巳;益富裕之 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法,在一并地蚀刻多个基板的技术中提高蚀刻处理的均匀性。本公开的基板处理装置具备处理槽、第一和第二喷出口群、第一变更部、第二变更部以及控制部。处理槽用于使多个基板浸渍于处理液来进行蚀刻处理。第一和第二喷出口群配置于处理槽的内部且比多个基板靠下方的位置,用于向处理槽的内部喷出处理液。第一变更部用于变更从第一喷出口群喷出的处理液的流量。第二变更部用于变更从第二喷出口群喷出的处理液的流量。控制部在蚀刻处理过程中控制第一变更部和第二变更部,来进行使从第一喷出口群喷出的处理液的流量和从第二喷出口群喷出的处理液的流量以互不相同的方式增加和减少的流量变更处理。
技术领域
本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
在专利文献1中,已知一种通过在贮存有处理液的处理槽中浸渍多个基板来一并地蚀刻多个基板的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2018-14470号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种在一并地蚀刻多个基板的技术中能够提高蚀刻处理的均匀性的技术。
用于解决问题的方案
基于本公开的一个方式的基板处理装置具备处理槽、第一喷出口群及第二喷出口群、第一变更部、第二变更部以及控制部。处理槽用于将多个基板浸渍于处理液来进行蚀刻处理。第一喷出口群及第二喷出口群配置于处理槽的内部且比多个基板靠下方的位置,用于向处理槽的内部喷出处理液。第一变更部用于变更从第一喷出口群喷出的处理液的流量。第二变更部用于变更从第二喷出口群喷出的处理液的流量。控制部在蚀刻处理过程中控制第一变更部和第二变更部,来进行使从第一喷出口群喷出的处理液的流量和从第二喷出口群喷出的处理液的流量以互不相同的方式增加和减少的流量变更处理。
发明的效果
根据本公开,在一并地蚀刻多个基板的技术中,能够提高蚀刻处理的均匀性。
附图说明
图1是表示基板处理的一例的图。
图2是表示第一实施方式所涉及的基板处理装置的结构的图。
图3是表示第一实施方式所涉及的处理液供给部的结构的图。
图4是表示第一实施方式所涉及的基板处理装置所执行的处理的过程的流程图。
图5是第一实施方式所涉及的流量变更处理的说明图。
图6是表示发生液流的淤滞的位置因流量变更处理而变化的样子的图。
图7是表示发生液流的淤滞的位置因流量变更处理而变化的样子的图。
图8是表示第一实施方式的变形例所涉及的基板处理装置的结构的图。
图9是第一实施方式的变形例所涉及的流量变更处理的说明图。
图10是表示第二实施方式所涉及的基板处理装置的结构的图。
图11是从上方观察第二实施方式所涉及的气体供给部的图。
图12是第二实施方式所涉及的流量变更处理的说明图。
图13是表示蚀刻处理过程中的面内温度差随时间变化的曲线图。
附图标记说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造