[发明专利]基板处理装置和基板处理方法在审
申请号: | 202110489607.0 | 申请日: | 2021-05-06 |
公开(公告)号: | CN113675109A | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 本田拓巳;益富裕之 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,具备:
处理槽,其用于使多个基板浸渍于处理液来进行蚀刻处理;
第一喷出口群和第二喷出口群,它们配置于所述处理槽的内部且比所述多个基板靠下方的位置,用于向所述处理槽的内部喷出所述处理液;
第一变更部,其用于变更从所述第一喷出口群喷出的所述处理液的流量;
第二变更部,其用于变更从所述第二喷出口群喷出的所述处理液的流量;以及
控制部,其在所述蚀刻处理过程中控制所述第一变更部和所述第二变更部,来进行使从所述第一喷出口群喷出的所述处理液的流量和从所述第二喷出口群喷出的所述处理液的流量以互不相同的方式增加和减少的流量变更处理。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制部进行多次所述流量变更处理。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制部在从开始进行所述蚀刻处理起到所述蚀刻处理结束为止的期间重复进行所述流量变更处理。
4.根据权利要求1~3中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制部在所述流量变更处理中使变更从所述第一喷出口群喷出的所述处理液的流量的处理和变更从所述第二喷出口群喷出的所述处理液的流量的处理在不同的定时进行。
5.根据权利要求1~3中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制部在所述流量变更处理中在使从所述第一喷出口群喷出的所述处理液的流量增加的定时,使从所述第二喷出口群喷出的所述处理液的流量减少。
6.根据权利要求1~5中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,还具备:
溢出槽,其用于贮存从所述处理槽溢出的所述处理液;以及
循环流路,其将所述溢出槽与所述第一喷出口群及所述第二喷出口群连接,其中,
所述循环流路具备:
排出路径,其与所述溢出槽连接;以及
第一供给路径,其从所述排出路径分支出来,来与所述第一喷出口群连接;
第二供给路径,其从所述排出路径分支出来,来与所述第二喷出口群连接;
第一旁通路径,其从所述第一供给路径分支出来,来与所述溢出槽连接;以及
第二旁通路径,其从所述第二供给路径分支出来,来与所述溢出槽连接,
所述第一变更部设置于所述第一旁通路径,
所述第二变更部设置于所述第二旁通路径。
7.根据权利要求1~5中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,还具备:
溢出槽,其用于贮存从所述处理槽溢出的所述处理液;
循环流路,其将所述溢出槽与所述第一喷出口群及所述第二喷出口群连接,其中,
所述循环流路具备:
排出路径,其与所述溢出槽连接;
第一供给路径,其从所述排出路径分支出来,来与所述第一喷出口群连接;
第二供给路径,其从所述排出路径分支出来,来与所述第二喷出口群连接;以及
旁通路径,其从所述排出路径分支出来,来与所述溢出槽连接,
所述第一变更部设置于所述第一供给路径,
所述第二变更部设置于所述第二供给路径。
8.根据权利要求6或7所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制部控制所述第一变更部和所述第二变更部来进行所述流量变更处理,以使流过所述循环流路的所述处理液的流量固定。
9.一种基板处理装置,具备:
处理槽,其用于使具有多种金属层的多个基板浸渍于处理液来进行蚀刻处理;
气体供给部,其配置于所述处理槽的内部且比所述多个基板靠下方的位置,用于向所述处理槽的内部喷出气体;
变更部,其用于变更从所述气体供给部喷出的所述气体的流量;以及
控制部,其控制所述变更部,来在从开始进行所述蚀刻处理起的第一期间从所述气体供给部以第一流量喷出所述气体后,将从所述气体供给部供给的所述气体的流量变更为比所述第一流量少的第二流量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造