[发明专利]一种用于电子设备导热材料的制备方法

说明书

本发明公开了一种用于电子设备导热材料的制备方法，包括将氮化硼粉末加入到异丙醇中，超声搅拌使其充分分散在异丙醇中，加入氟化锂，磁子搅拌进行冷凝回流在氮气氛围下，并将温度升至185～195℃下60～75h后冷却，搅拌超声5～8h，放置在室温静置一天，使其分层，取上层液体，真空干燥箱中烘干，得到氮化硼纳米片；将氮化硼纳米片和纯铜粉末加入混料机中，将混合均匀的混合物加入到无水乙醇中，再依次加入聚乙烯醇缩丁醛、领苯二甲酸二辛脂和二季戊四醇，搅拌成浆料，刮涂平铺在玻璃板上然后放置在烘箱中干燥，干燥后移至金属板上将温度升至420～450℃进行还原处理，冷却后裁制成相同大小形状，放置入石墨模具中，从室温升至600～680℃烧培40～60min后升温至940～1000℃烧结2～5h后冷却得到所述导热材料。

技术领域

本发明属于导热材料技术领域，具体涉及一种用于电子设备导热材料的制备方法。

背景技术

随着电子设备不断将更强大的功能集成到更小组件中，温度控制已经成为电子器件设计中至关重要的挑战之一，即在架构紧缩且操作空间越来越小的情况下，如何有效的带走更大单位功率所产生的更多热量。为解决上述问题，目前市场上大多采用具有导热功能的散热材料应用在上述领域中，这类导热材料在导热方面关键的评价参数为导热系数，现有技术中提高导热系数是非常难，如何提高导热材料的导热系数成为解决电子用导热材料最为关键的问题。

陶瓷基导热材料中氮化硼是具有高热导率的高度绝缘材料，并且已经开发了其中在基体中分散氮化硼颗粒作为导热填料的各种导热复合材料。例如，在日本未经审查的专利申请公开号2010-260225(JP 2010-260225A)中公开了一种导热成型体，其通过在层合方向上切割有机硅层合体获得，所述有机硅层合体包含具有不同平均粒径的两种类型氮化硼粉末作为导热填料。

金属基导热材料中常用的有金属铝、铜、钢等，热导效率较高，机械性能优良，但是纯金属热膨胀系数较高，限制了其在导热领域的发展，在电子封装材料不断发展过程中，金属基复合导热材料具有高热导率、良好力学性能得到广泛关注。

发明内容

本发明的目的是提供一种用于电子设备导热材料的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：

S1：将氮化硼粉末加入到异丙醇中，超声搅拌使其充分分散在异丙醇中，然后加入氟化锂，磁子搅拌进行冷凝回流在氮气氛围下，并将温度升至185～195℃下60～75h后冷却，停止搅拌，再超声5～8h，放置在室温静置一天，使其分层，取上层液体，真空干燥箱中烘干，得到氮化硼纳米片。

S2：将上述步骤S1中的氮化硼纳米片和纯铜粉末加入混料机中，转速为5～10转/min混合4～6h，然后将混合均匀的混合物加入到无水乙醇中，再依次加入聚乙烯醇缩丁醛、领苯二甲酸二辛脂和二季戊四醇，搅拌成浆料，备下步使用。

S3：将步骤S2中得到的浆料刮涂平铺在玻璃板上然后放置在烘箱中在40～50℃下干燥10～16h，干燥后移至金属板上将温度升至420～450℃进行还原处理3～6h，冷却后裁制成相同大小形状，备下步使用。

S4：将步骤S4中裁制的样品放置入石墨模具中，然后以速率为2～4℃/min从室温升至600～680℃烧培40～60min后继续以速率5～8℃/min升温至940～1000℃烧结2～5h后冷却得到所述导热材料。

作为优选方案，上述所述的氮化硼、异丙醇和氟化锂的质量体积比为(30～50)g:(70～110)mL:(7～12)g。

作为优选方案，上述步骤S2中所述的步骤S1中的氮化硼纳米片、纯铜粉末、无水乙醇的质量体积比为(2～3.6)g:(15～25)mL:(7.8～13.9)g。

作为优选方案，上述所述加入的聚乙烯醇缩丁醛、领苯二甲酸二辛脂和二季戊四醇得质量比为(0.6～0.92):(0.3～0.45):(4.2～6.9)。