[发明专利]一种用于电子设备导热材料的制备方法

权利要求书

1.一种用于电子设备导热材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

S1：将氮化硼粉末加入到异丙醇中，超声搅拌使其充分分散在异丙醇中，然后加入氟化锂，磁子搅拌进行冷凝回流在氮气氛围下，并将温度升至185～195℃下60～75h后冷却，停止搅拌，再超声5～8h，放置在室温静置一天，使其分层，取上层液体，真空干燥箱中烘干，得到氮化硼纳米片；

S2：将上述步骤S1中的氮化硼纳米片和纯铜粉末加入混料机中，转速为5～10转/min混合4～6h，然后将混合均匀的混合物加入到无水乙醇中，再依次加入聚乙烯醇缩丁醛、领苯二甲酸二辛脂和二季戊四醇，搅拌成浆料，备下步使用；

S3：将步骤S2中得到的浆料刮涂平铺在玻璃板上然后放置在烘箱中在40～50℃下干燥10～16h，干燥后移至金属板上将温度升至420～450℃进行还原处理3～6h，冷却后裁制成相同大小形状，备下步使用；

S4：将步骤S4中裁制的样品放置入石墨模具中，然后以速率为2～4℃/min从室温升至600～680℃烧培40～60min后继续以速率5～8℃/min升温至940～1000℃烧结2～5h后冷却得到所述导热材料。

2.根据权利要求1所述的一种用于电子设备导热材料的制备方法，其特征在于，所述的氮化硼、异丙醇和氟化锂的质量体积比为(30～50)g:(70～110)mL:(7～12)g。

3.根据权利要求1所述的一种用于电子设备导热材料的制备方法，其特征在于，步骤S2中所述的步骤S1中的氮化硼纳米片、纯铜粉末、无水乙醇的质量体积比为(2～3.6)g:(15～25)mL:(7.8～13.9)g。

4.根据权利要求1所述的一种用于电子设备导热材料的制备方法，其特征在于，所述加入的聚乙烯醇缩丁醛、领苯二甲酸二辛脂和二季戊四醇得质量比为(0.6～0.92):(0.3～0.45):(4.2～6.9)。

5.根据权利要求1所述的一种用于电子设备导热材料的制备方法，其特征在于，所述的烧结过程在氮气或氩气氛围下进行，而且烧结压力为8.2～9.6MPa，烧结温度960～1000℃，烧结保温时间为2～3h。