[发明专利]芯片检测方法、电子设备及存储介质

说明书

本申请是关于一种芯片检测方法、电子设备及存储介质。该方法包括：使用黑白高分辨率相机在低倍率物镜下拍摄待测芯片的粗检图像；基于粗检图像进行初步缺陷类型分析;使用彩色高分辨率相机在高倍率物镜下拍摄待测芯片上的上表面图像和下表面图像；利用图像融合算法将上表面图像和下表面图像融合为一幅图像，得到具有叠加景深信息的复检图像；利用缺陷分析算法对复检图像进行缺陷分析，识别出目标缺陷图像对应的缺陷类型。本申请提供的方案，能够使用黑白高分辨率相机在低倍率物镜下完成粗检，使用彩色高分辨率相机在高倍率物镜下完成复检，减少了前期获取待分析图像的数据采集成本，提高了整个缺陷分析处理过程的效率。

技术领域

本申请涉及芯片检测技术领域，尤其涉及一种芯片检测方法、电子设备及存储介质。

背景技术

随着各种智能设备的飞速发展，智能设备中的器件小型化发展也成为一大趋势。其中，屏幕所使用的LED芯片与屏幕的分辨率息息相关：在其他条件不变的情况下，LED芯片越小，屏幕的分辨率越高。在此基础上，微米LED芯片应运而生。微米LED尺寸极小，一般只有20-30微米（传统LED芯片：＞1000微米，迷你LED芯片：100-200微米）。

微米LED芯片作为新一代芯片，其对应的检测设备较少，现在通常使用的设备是对迷你LED芯片的检测设备进行改造，通过更换物镜等方式简单提高芯片的放大倍率。其工作原理为：在高倍率物镜下移动样品，通过自动对焦系统完成对样品的对焦，再通过相机扫描完成对样品图像的采集，最后对图像进行算法分析、处理。由于微米LED芯片的尺寸小，制作工艺复杂，因此，其观察难度更高，缺陷种类也更复杂多样，使用该类检测设备具有一定的局限性，主要体现在：

1、对芯片仅进行一次放大检测，相当于对芯片上的所有缺陷进行无差别放大，考虑到不同类型缺陷的特征需要在不同的放大倍数下才有可能被准确识别，这种检测方式会造成部分缺陷的特征显示不明显，导致识别错误或无法识别，从而影响设备过漏检率；

2、对芯片进行高倍率放大，使得拍摄图像的视野存在很大局限，在芯片面积等同的情况下，要得到缺陷图像则需要拍摄更多照片，处理过程复杂，获取分析图像的采集成本提高，也增加了传输和储存数据的负担，导致缺陷分析处理过程效率低下，尤其在缺陷种类繁多且复杂的情况下，进一步降低了缺陷分析处理的效率。

发明内容

为克服相关技术中存在的问题，本申请提供一种芯片检测方法、电子设备及存储介质，该芯片检测方法、电子设备及存储介质能够降低获取分析图像的采集成本，提高缺陷分析处理过程的效率并降低过漏检率。

本申请第一方面提供一种芯片检测方法，包括：

将待测芯片固定在样品放置盘上；

使用黑白高分辨率相机在低倍率物镜下拍摄所述待测芯片的粗检图像；

基于所述粗检图像进行初步缺陷类型分析，得到所述粗检图像中目标缺陷图像的位置信息，所述目标缺陷图像为经过所述初步缺陷类型分析后被分类为不可识别缺陷类型图像的缺陷图像；

利用所述位置信息确定所述待测芯片上所述目标缺陷图像对应的位置，使用彩色高分辨率相机在高倍率物镜下拍摄所述待测芯片上所述目标缺陷图像对应的位置的复检图像；

利用缺陷分析算法对所述复检图像进行缺陷分析，识别出所述目标缺陷图像对应的缺陷类型。

在一种实施方式中，所述将待测芯片固定在样品放置盘上之后，包括：

调节角度使所述待测芯片的长短边分别与相机XY轴平行，所述相机包括所述黑白高分辨率相机和所述彩色高分辨率相机。

在一种实施方式中，所述使用黑白高分辨率相机在低倍率物镜下拍摄所述待测芯片的粗检图像，包括：

使用所述黑白高分辨率相机在所述低倍率物镜下对移动中的所述待测芯片进行拍摄，得到所述粗检图像。

在一种实施方式中，所述基于所述粗检图像进行初步缺陷类型分析，得到所述粗检图像中目标缺陷图像的位置信息，包括：