[发明专利]通孔开口的蚀刻轮廓控制

说明书

本申请涉及通孔开口的蚀刻轮廓控制。一种方法，包括：在源极/漏极区域之上形成源极/漏极接触件；在源极/漏极接触件之上形成蚀刻停止层，并且在蚀刻停止层之上形成层间电介质(ILD)层；执行第一蚀刻工艺，以形成延伸穿过ILD层的通孔开口以及蚀刻停止层中的凹部；氧化蚀刻停止层中的凹部的侧壁；在氧化蚀刻停止层中的凹部的侧壁之后，执行第二蚀刻工艺以使通孔开口向下延伸到源极/漏极接触件；以及在执行第二蚀刻工艺之后，在通孔开口中形成源极/漏极通孔。

技术领域

本公开涉及通孔开口的蚀刻轮廓控制。

背景技术

IC材料和设计的技术进步已经产生了几代IC，其中每一代都具有比上一代更小和更复杂的电路。在IC演变过程中，功能密度(例如，每芯片面积的互连器件的数量)通常增大，同时几何尺寸(例如，使用制造工艺能够产生的最小组件(或线))减小。这种缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。

发明内容

根据本公开的第一方面，提供了一种用于形成半导体器件的方法，包括：在源极/漏极区域之上形成源极/漏极接触件；在所述源极/漏极接触件之上形成蚀刻停止层，并且在所述蚀刻停止层之上形成层间电介质ILD层；执行第一蚀刻工艺，以形成延伸穿过所述ILD层的通孔开口以及所述蚀刻停止层中的凹部；氧化所述蚀刻停止层中的所述凹部的侧壁；在氧化所述蚀刻停止层中的所述凹部的侧壁之后，执行第二蚀刻工艺以使所述通孔开口向下延伸到所述源极/漏极接触件；以及在执行所述第二蚀刻工艺之后，在所述通孔开口中形成源极/漏极通孔。

根据本公开的第二方面，提供了一种用于形成半导体器件的方法，包括：在外延结构之上形成源极/漏极接触件；在所述源极/漏极接触件之上按顺序地沉积蚀刻停止层和层间电介质ILD层；在所述ILD层上执行第一蚀刻工艺，直到所述蚀刻停止层具有凹部；在执行所述第一蚀刻工艺之后，对所述蚀刻停止层进行处理，使得所述蚀刻停止层具有使所述凹部的下侧成杯状的经处理区域和位于所述经处理区域下方的未处理区域；在对所述蚀刻停止层进行处理之后，执行第二蚀刻工艺以穿透所述蚀刻停止层，其中，所述第二蚀刻工艺以比蚀刻所述未处理区域更慢的蚀刻速率来蚀刻所述蚀刻停止层的所述经处理区域；以及在执行所述第二蚀刻工艺之后，形成延伸穿过所述蚀刻停止层的源极/漏极通孔。

根据本公开的第三方面，提供了一种半导体器件，包括：源极/漏极接触件，所述源极/漏极接触件位于晶体管的源极/漏极区域之上；蚀刻停止层，所述蚀刻停止层位于所述源极/漏极接触件之上；层间电介质ILD层，所述ILD层位于所述蚀刻停止层之上；以及源极/漏极通孔，所述源极/漏极通孔延伸穿过所述ILD层和所述蚀刻停止层到所述源极/漏极接触件，其中，所述蚀刻停止层具有与所述源极/漏极通孔接触的氧化区域和使所述氧化区域与所述源极/漏极接触件间隔开的未氧化区域。

附图说明

在结合附图阅读下面的具体实施方式时，可以通过下面的具体实施方式最佳地理解本公开的各方面。要注意的是，根据行业的标准惯例，各种特征没有按比例绘制。事实上，为了讨论的清楚，各种特征的尺寸可能被任意地增大或缩小。

图1-20B示出了根据本公开的一些实施例的集成电路结构的形成中的中间阶段的透视图和截面图。

图21-26示出了根据本公开的一些其他实施例的用于制造集成电路结构的各个阶段的示例性截面图。

图27-45B示出了根据本公开的一些实施例的集成电路结构的形成中的中间阶段的透视图和截面图。

图46-51示出了根据本公开的一些其他实施例的用于制造集成电路结构的各个阶段的示例性截面图。

具体实施方式