[发明专利]通孔开口的蚀刻轮廓控制

权利要求书

1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：

在源极/漏极区域之上形成源极/漏极接触件；

在所述源极/漏极接触件之上形成蚀刻停止层，并且在所述蚀刻停止层之上形成层间电介质ILD层；

执行第一蚀刻工艺，以形成延伸穿过所述ILD层的通孔开口以及所述蚀刻停止层中的凹部；

氧化所述蚀刻停止层中的所述凹部的侧壁；

在氧化所述蚀刻停止层中的所述凹部的侧壁之后，执行第二蚀刻工艺以使所述通孔开口向下延伸到所述源极/漏极接触件；以及

在执行所述第二蚀刻工艺之后，在所述通孔开口中形成源极/漏极通孔。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻停止层中的所述凹部的侧壁是使用氧等离子体来氧化的。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述氧等离子体是由O₂气体生成的。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述氧等离子体是由O₂气体和以下项中的一项或多项的气体混合物生成的：Ar气体、He气体、Ne气体、Kr气体、N₂气体、CO气体、CO₂气体、C_xH_yF_z气体、NF₃气体、羰基硫COS气体以及SO₂气体，其中，x、y和z大于零。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二蚀刻工艺使用与在所述第一蚀刻工艺中所使用的蚀刻剂不同的蚀刻剂。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一蚀刻工艺是使用由无氢气体混合物生成的等离子体的等离子体蚀刻工艺。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二蚀刻工艺是使用由含氢气体混合物生成的等离子体的等离子体蚀刻工艺。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述含氢气体混合物是含氟气体和氢气的混合物。

9.一种用于形成半导体器件的方法，包括：

在外延结构之上形成源极/漏极接触件；

在所述源极/漏极接触件之上按顺序地沉积蚀刻停止层和层间电介质ILD层；

在所述ILD层上执行第一蚀刻工艺，直到所述蚀刻停止层具有凹部；

在执行所述第一蚀刻工艺之后，对所述蚀刻停止层进行处理，使得所述蚀刻停止层具有使所述凹部的下侧成杯状的经处理区域和位于所述经处理区域下方的未处理区域；

在对所述蚀刻停止层进行处理之后，执行第二蚀刻工艺以穿透所述蚀刻停止层，其中，所述第二蚀刻工艺以比蚀刻所述未处理区域更慢的蚀刻速率来蚀刻所述蚀刻停止层的所述经处理区域；以及

在执行所述第二蚀刻工艺之后，形成延伸穿过所述蚀刻停止层的源极/漏极通孔。

10.一种半导体器件，包括：

源极/漏极接触件，所述源极/漏极接触件位于晶体管的源极/漏极区域之上；

蚀刻停止层，所述蚀刻停止层位于所述源极/漏极接触件之上；

层间电介质ILD层，所述ILD层位于所述蚀刻停止层之上；以及

源极/漏极通孔，所述源极/漏极通孔延伸穿过所述ILD层和所述蚀刻停止层到所述源极/漏极接触件，其中，所述蚀刻停止层具有与所述源极/漏极通孔接触的氧化区域和使所述氧化区域与所述源极/漏极接触件间隔开的未氧化区域。