[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

漏极区，位于衬底中；

源极区，位于所述衬底中，环绕所述漏极区；

栅极结构，设置在所述衬底上，设置在所述源极区与所述漏极区之间且环绕所述漏极区；以及

金属线，位于所述源极区及所述漏极区以及所述栅极结构上方且电连接到所述漏极区或所述源极区，

其中所述源极区包括掺杂区，所述掺杂区具有位于所述掺杂区的两个相对端部之间的断开区；并且

其中所述金属线从所述漏极区延伸、跨越所述栅极结构且跨越所述断开区并超过所述源极区。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述源极区具有为C状环的俯视图。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述金属线的垂直投影落在所述断开区的跨度内且与所述断开区的所述跨度交叠。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述掺杂区的所述两个相对端部分别以第一间距及第一间距与所述金属线的所述垂直投影间隔开，且所述第一间距与所述第二间距相同。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述掺杂区的所述两个相对端部分别以第一间距及第一间距与所述金属线的所述垂直投影间隔开，且所述第一间距与所述第二间距不同。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括位于所述衬底上且位于所述源极区与所述漏极区之间的隔离结构，且所述栅极结构部分地设置在所述衬底上且部分地设置在所述绝缘结构上。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，进一步包括位于所述源极区及所述栅极结构下面的掺杂本体阱、以及位于所述栅极结构下面及所述掺杂本体阱内的沟道区。

8.一种半导体器件，包括：

衬底，具有位于所述衬底中的第一导电类型掺杂阱、位于所述第一导电类型掺杂阱中的第二导电类型掺杂阱、以及位于所述衬底上的隔离结构，所述隔离结构界定所述衬底的第一区及第二区；

第一导电类型掺杂漏极区，位于所述第一导电类型掺杂阱内且位于所述衬底的所述第一区中；

第一导电类型掺杂源极区，位于所述第二导电类型掺杂阱内且位于所述衬底的所述第二区中，环绕所述第一导电类型掺杂漏极区；

栅极结构，部分地设置在所述衬底上且部分地设置在所述隔离结构中的一者上，其中所述栅极结构设置在所述第一导电类型掺杂源极区与所述第一导电类型掺杂漏极区之间，且所述第一导电类型掺杂源极区环绕所述栅极结构；

沟道区，位于所述栅极结构下方且位于所述第二导电类型掺杂阱内，以及

金属线，位于所述第一导电类型掺杂源极区及所述第一导电类型掺杂漏极区以及所述栅极结构上方，其中所述金属线电连接到所述第一导电类型掺杂漏极区，

其中所述第一导电类型掺杂源极区具有由断开区划分的裂开环路状俯视图，且其中所述金属线延伸跨越所述栅极结构且跨越所述断开区并超过所述第一导电类型掺杂源极区。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述断开区的延伸长度大于所述金属线在所述金属线跨越所述第一导电类型掺杂源极区的相交位置处的宽度。

10.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底中形成第一导电类型掺杂阱；

在所述衬底中在所述第一导电类型掺杂阱中形成第二导电类型掺杂阱；

在所述衬底上形成隔离结构以界定所述衬底的第一区及第二区；

在所述隔离结构上且在所述衬底上形成栅极结构及导电半导体图案；

在所述衬底的所述第一区及所述第二区中形成第一导电类型掺杂区及第二导电类型掺杂区；以及

在所述栅极结构上方且跨越所述栅极结构形成至少一个金属线，其中所述至少一个金属线在所述第二区中延伸跨越所述第一导电类型掺杂区及所述第二导电类型掺杂区且与所述第一导电类型掺杂区及所述第二导电类型掺杂区中的至少一者电连接。