[发明专利]一种焊接方法及芯片封装方法在审

专利信息
申请号: 202110475537.3 申请日: 2021-04-29
公开(公告)号: CN113380636A 公开(公告)日: 2021-09-10
发明(设计)人: 周云;曾昭孔;黄柏荣;卢玉溪 申请(专利权)人: 苏州通富超威半导体有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/56;H05K3/34
代理公司: 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 代理人: 郭栋梁
地址: 215000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 焊接 方法 芯片 封装
【说明书】:

本申请公开了一种焊接方法及芯片封装方法,适用于半导体封装,包括:将待焊接部件和焊接部位进行氧化处理,使得待焊接部件和焊接部位表面形成金属氧化物层;在含有还原性气体的气氛中,将待焊接部件和焊接部位通过回流焊进行焊接,使得待焊接部件和焊接部位紧密结合。本申请的焊接方法通过使用还原性气体,使待焊接部件和焊接部位表面的氧化物在受热过程中发生还原反应,在保证金属散热层可靠焊接的同时,有效避免了现有使用树脂类助焊剂造成芯片成品率低的问题。

技术领域

发明一般涉及半导体测试技术领域,具体涉及一种焊接方法及芯片封装方法。

背景技术

随着集成电路产业的不断发展和进步,芯片的单片集成度越来越高、功耗越来越大,对于封装技术的要求也越来越高。目前芯片封装过程中为了提高散热性能,一般在芯片和散热罩设置金属层,一方面有利于与散热,另一方面有利于散热罩和芯片的连接。

现有通常使用金属片,例如铟片、锡银片或者其他金属片,为了保证金属层与芯片和散热罩的连接,需要使用树脂类助焊剂去除金属片表面氧化物完成焊接,但是,目前使用的金属片极易氧化,且其表面氧化膜熔点很高,必须使用助焊剂去除氧化膜达到焊接效果,由于无法通过清洗来去除助焊剂残留,助焊剂残留会留在散热罩和芯片中间,在后续产品的使用过程中可能造成产品失效,以及树脂类助焊剂在加热过程中会由于其挥发造成金属飞溅,导致周围的电容、芯片短路,进而影响产品的可靠性;并且,树脂类助焊剂在加热过程中挥发出来的气体会在金属层中形成空洞,影响产品的散热性能效果。

发明内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足,期望提供一种焊接方法及芯片封装方法,无需使用树脂类助焊剂,在保证金属散热层可靠焊接的同时,避免了树脂类助焊剂影响产品的可靠性。

第一方面,本发明提供一种焊接方法,适用于半导体封装,包括:

将待焊接部件和焊接部位进行氧化处理,使得待焊接部件和焊接部位表面形成金属氧化物层;

在含有还原性气体的气氛中,将待焊接部件和焊接部位通过回流焊进行焊接,使得待焊接部件和焊接部位紧密结合。

作为可选的方案,将待焊接部件和焊接部位进行氧化处理,包括:

将待焊接部件和焊接部位在空气气氛中放置4-8小时。

作为可选的方案,在含有还原性气体的气氛中,将待焊接部件和焊接部位通过回流焊进行焊接,包括:

在140℃-155℃下保温一段时间后,升温至230℃-250℃进行焊接。

作为可选的方案,在230℃-250℃焊接5min-10min。

作为可选的方案,含有还原性气体的气氛为甲酸气体、乙酸气体、氢气中的一种或几种的混合物。

作为可选的方案,甲酸气体为经Pt催化后的甲酸气体。

作为可选的方案,含有还原性气体的流量为35-50sccm。

第二方面,本发明提供一种芯片封装方法,包括:

基板上表面划分为第一区域和包围第一区域的第二区域,在第一区域设置芯片,基板下表面设置锡球层;

将金属散热层设置于芯片表面;

将散热罩盖设在基板上方,且散热罩与金属散热层接触,其中,散热罩为待焊接部件,金属散热层为焊接部位;

通过第一方面的焊接方法对散热罩和金属散热层进行焊接,以使散热罩与基板和金属散热层之间紧密贴合。

作为可选的方案,在对散热罩和金属散热层进行焊接之前,方法还包括:

基板下表面设置锡球层,将锡球层焊接在PCB板上。

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