[发明专利]一种焊接方法及芯片封装方法在审
| 申请号： | 202110475537.3 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113380636A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 周云;曾昭孔;黄柏荣;卢玉溪 | 申请（专利权）人： | 苏州通富超威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H05K3/34 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 郭栋梁 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 焊接 方法 芯片 封装 | ||
1.一种焊接方法，适用于半导体封装，其特征在于，包括：
将待焊接部件和焊接部位进行氧化处理，使得所述待焊接部件和所述焊接部位表面形成金属氧化物层；
在含有还原性气体的气氛中，将所述待焊接部件和所述焊接部位通过回流焊进行焊接，使得所述待焊接部件和所述焊接部位紧密结合。
2.根据权利要求1所述的一种焊接方法，其特征在于，将待焊接部件和焊接部位进行氧化处理，包括：
将待焊接部件和焊接部位在空气气氛中放置4-8小时。
3.根据权利要求1所述的一种焊接方法，其特征在于，在含有还原性气体的气氛中，将待焊接部件和焊接部位通过回流焊进行焊接，包括：
在140℃-155℃下保温一段时间后，升温至230℃-250℃进行焊接。
4.根据权利要求3所述的一种焊接方法，其特征在于，在230℃-250℃焊接5min-10min。
5.根据权利要求1所述的一种焊接方法，其特征在于，所述含有还原性气体的气氛为甲酸气体、乙酸气体、氢气中的一种或几种的混合物。
6.根据权利要求5所述的一种焊接方法，其特征在于，所述甲酸气体为经Pt催化后的甲酸气体。
7.根据权利要求1所述的一种焊接方法，其特征在于，所述含有还原性气体的流量为35-50sccm。
8.一种芯片封装方法，其特征在于，包括：
基板上表面划分为第一区域和包围所述第一区域的第二区域，在所述第一区域设置芯片，所述基板下表面设置锡球层；
将金属散热层设置于所述芯片表面；
将散热罩盖设在所述基板上方，且所述散热罩与所述金属散热层接触，其中，所述散热罩为待焊接部件，所述金属散热层为焊接部位；
通过权利要求1所述的焊接方法对所述散热罩和所述金属散热层进行焊接，以使所述散热罩与所述金属散热层之间紧密贴合。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在对所述散热罩和所述金属散热层进行焊接之后，所述方法还包括：
所述基板下表面设置锡球层，将所述锡球层焊接在PCB板上。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述散热罩与所述金属散热层接触的区域镀设金属层，且在所述散热罩的侧壁开设至少两个通孔。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
