[发明专利]彩色滤光层制作方法、相关基板及其制作方法有效
申请号: | 202110475099.0 | 申请日: | 2021-04-29 |
公开(公告)号: | CN113189812B | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
发明(设计)人: | 常红燕;康报虹 | 申请(专利权)人: | 滁州惠科光电科技有限公司;惠科股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1335 | 分类号: | G02F1/1335;G02F1/1362;G03F7/00 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 高星 |
地址: | 239000 安徽省滁*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 彩色 滤光 制作方法 相关 及其 | ||
1.一种彩色滤光层制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
S110、在依次排列有第一色阻块、第二色阻块和第三色阻块的衬底上涂布第四光刻胶;其中,先制作第一色阻块,再在第一色阻块的同一侧依次制作第二色阻块和第三色阻块;
S111、将共用掩模板向第一色阻块的远离第二色阻块的一侧移动一个像素间距的距离,进行曝光工艺,并将共用掩模板上的图案转印到第四光刻胶上;
S112、进行显影工艺,将被射线照射到的第四光刻胶溶解到显影液中,并在衬底上形成第四色阻块。
2.如权利要求1所述的彩色滤光层制作方法,其特征在于,还包括以下步骤:
S101、在衬底上涂布第一光刻胶;
S102、进行曝光工艺,将共用掩模板上的图案转印到第一光刻胶上;
S103、进行显影工艺,将被射线照射到的第一光刻胶溶解到显影液中,并在衬底上形成第一色阻块;
S104、在衬底上涂布第二光刻胶;
S105、将共用掩模板向第一色阻块的一侧移动一个像素间距的距离,进行曝光工艺,并将共用掩模板上的图案转印到第二光刻胶上;
S106、进行显影工艺,将被射线照射到的第二光刻胶溶解到显影液中,并在衬底上形成第二色阻块;
S107、在衬底上涂布第三光刻胶;
S108、将共用掩模板向第二色阻块的远离第一色阻块的一侧移动一个像素间距的距离,进行曝光工艺,并将共用掩模板上的图案转印到第三光刻胶上;
S109、进行显影工艺,将被射线照射到的第三光刻胶溶解到显影液中,并在衬底上形成第三色阻块。
3.如权利要求2所述的彩色滤光层制作方法,其特征在于,所述共用掩模板包括多个基础图案和一个预留图案,多个所述基础图案用于满足所述第一色阻块、所述第二色阻块、所述第三色阻块和所述第四色阻块的制作需求,所述预留图案用于确保有效使用区域内的所述第一色阻块、所述第二色阻块、所述第三色阻块和所述第四色阻块依序循环排列。
4.一种彩膜基板制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
S201、在衬底上涂布黑矩阵材料;
S202、进行曝光工艺,将黑矩阵掩模板上的图案转印到黑矩阵材料上;
S203、进行显影工艺,将没有被射线照射到的黑矩阵材料溶解到显影液中,并在衬底上形成黑矩阵;
S204、采用权利要求1至3任一项所述的彩色滤光层制作方法在黑矩阵上制作彩色滤光层。
5.如权利要求4所述的彩膜基板制作方法,其特征在于,还包括以下步骤:
S205、在衬底上涂布绝缘材料;
S206、将绝缘材料加热固化,形成平坦层;
S207、在平坦层上沉积氧化铟锡膜,形成透明导电电极。
6.如权利要求5所述的彩膜基板制作方法,其特征在于,还包括以下步骤:
S208、在平坦层上涂布间隔物材料;
S209、进行曝光工艺,将间隔物掩模板上的图案转印到间隔物材料上;
S210、进行显影工艺,将没有被射线照射到的间隔物材料溶解到显影液中,并在平坦层上形成间隔物。
7.一种阵列基板制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
S301、在衬底上沉积薄膜;
S302、采用权利要求1至3任一项所述的彩色滤光层制作方法在薄膜上制作光刻胶图案;
其中,用同一种颜色的光刻胶替代第一光刻胶、第二光刻胶、第三光刻胶和第四光刻胶。
8.如权利要求7所述的阵列基板制作方法,其特征在于,还包括以下步骤:
S303、进行湿法或干法刻蚀,将没有光刻胶保护的区域的薄膜刻蚀掉;
S304、将光刻胶剥离,在薄膜上形成与光刻胶图案一致的阵列图形。
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