[发明专利]半导体处理装置及半导体处理方法

说明书

一种半导体处理装置及半导体处理方法，半导体处理装置包括加热器以及加热器升降总成，加热器被配置成加热位于加热器的晶片承载区域上的晶片，加热器包括在晶片承载区域下面延伸的加热器轴，加热器升降总成包括升降轴、夹具及阻尼器，升降轴被配置成在垂直方向上移动加热器轴，夹具将加热器轴连接到升降轴，阻尼器设置在夹具顶部上。

技术领域

本发明的实施例是涉及一种半导体处理装置及其使用方法，特别是涉及一种包括加热器升降总成弹簧阻尼器的半导体处理装置及其使用方法。

背景技术

随着电子产品的发展，半导体技术已广泛应用于制造存储器、中央处理器(central processing unit，CPU)、液晶显示器(liquid crystal display，LCD)、发光二极管(light emission diode，LED)、激光二极管及其他器件或芯片组。为实现高集成度及高速要求，已减小半导体集成电路的尺寸，并已提出各种材料及技术来实现这些要求并克服制造期间的障碍。控制处理腔室内的晶片的条件是半导体制作技术的重要部分。

发明内容

根据一些实施例，一种半导体处理装置包括加热器及加热器升降总成，加热器被配置成加热位于所述加热器的晶片承载区域上的晶片，所述加热器包括在所述晶片承载区域下面延伸的加热器轴，加热器升降总成包括升降轴、夹具及阻尼器，升降轴被配置成在垂直方向上移动所述加热器轴，夹具将所述加热器轴连接到所述升降轴，阻尼器设置在所述夹具顶部上。

根据一些实施例，一种半导体处理装置包括壳体、加热器及加热器升降总成，壳体被配置成在其中处理晶片，加热器包括被配置成支撑所述晶片且加热所述晶片的晶片承载台，所述加热器还包括在所述晶片承载台下面延伸的加热器轴，加热器升降总成包括升降轴、夹具及阻尼器，升降轴被配置成通过旋转运动在垂直方向上移动所述加热器轴，夹具将所述加热器轴连接到所述升降轴，阻尼器设置在所述夹具顶部上，其中所述阻尼器被配置成当所述夹具移动到最大垂直位置时接合从所述壳体内向下延伸的接触结构。

根据一些实施例，一种半导体处理方法包括在晶片处理装置的夹具上提供阻尼器，其中所述夹具将升降轴连接到加热器轴，其中所述升降轴被配置成在垂直方向上移动所述加热器轴，其中所述加热器轴从加热器的晶片承载区域下面延伸，所述加热器被配置成加热位于所述晶片承载区域上的晶片、将所述加热器降低到降低的位置、在所述降低的位置处接收所述晶片、将所述加热器升高到升高的位置以及在所述升高的位置处处理所述晶片。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，各种特征未必按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸及几何结构。

图1是根据一些实施例的处理装置的垂直剖视图。

图2是根据一些实施例的加热器升降总成及例如调平板结构及加热器等相邻结构的立体图。

图3A是根据一些实施例的加热器升降总成及调平板结构的右侧立体图。

图3B是根据一些实施例的加热器升降总成及调平板结构的左侧立体图。

图4A示出根据某些实施例的左弹性弹簧及右弹性弹簧。

图4B示出根据某些实施例的上面可设置左弹性弹簧及右弹性弹簧的夹具。

图5A是根据一些实施例的弹性弹簧的侧视图。

图5B是根据一些实施例的弹性弹簧的平面图。

图5C是根据一些实施例的可偏置顶件(biasable top piece)的平面图。

图5D是根据一些实施例的可偏置顶件的侧视图。

图6A示出根据一些实施例的未偏置的可偏置顶件的侧视图。