[发明专利]半导体处理装置及半导体处理方法

权利要求书

1.一种半导体处理装置，包括：

加热器，被配置成加热位于所述加热器的晶片承载区域上的晶片，所述加热器包括在所述晶片承载区域下面延伸的加热器轴；以及

加热器升降总成，包括：

升降轴，被配置成在垂直方向上移动所述加热器轴；

夹具，将所述加热器轴连接到所述升降轴；以及

阻尼器，设置在所述夹具顶部上。

2.根据权利要求1所述的半导体处理装置，还包括：

调平板，被配置成以侧向取向侧向地固定所述加热器轴，其中所述调平板包括设置在所述阻尼器之上的接触结构。

3.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其中所述阻尼器包括弹性弹簧，所述弹性弹簧具有可偏置顶件，所述可偏置顶件以凸起取向设置在弹性材料顶部上。

4.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其中所述阻尼器包括弹性弹簧，所述弹性弹簧具有以凸起取向设置在弹性材料顶部上的可偏置顶件，其中所述可偏置顶件具有柔性弹簧部分宽度，所述柔性弹簧部分宽度大于接触结构的接触结构宽度，所述接触结构设置在所述弹性弹簧之上且被配置成当所述夹具移动到最大垂直位置时接触所述弹性弹簧。

5.一种半导体处理装置，包括：

壳体，被配置成在其中处理晶片；

加热器，包括被配置成支撑所述晶片且加热所述晶片的晶片承载台，所述加热器还包括在所述晶片承载台下面延伸的加热器轴；以及

加热器升降总成，包括：

升降轴，被配置成通过旋转运动在垂直方向上移动所述加热器轴；

夹具，将所述加热器轴连接到所述升降轴；以及

阻尼器，设置在所述夹具顶部上，其中所述阻尼器被配置成当所述夹具移动到最大垂直位置时接合从所述壳体内向下延伸的接触结构。

6.根据权利要求5所述的半导体处理装置，其中所述阻尼器是设置在所述升降轴的相对两侧上的一组两个阻尼器的部分。

7.一种半导体处理方法，包括：

在晶片处理装置的夹具上提供阻尼器，其中所述夹具将升降轴连接到加热器轴，其中所述升降轴被配置成在垂直方向上移动所述加热器轴，其中所述加热器轴从加热器的晶片承载区域下面延伸，所述加热器被配置成加热位于所述晶片承载区域上的晶片；

将所述加热器降低到降低的位置；

在所述降低的位置处接收所述晶片；

将所述加热器升高到升高的位置；以及

在所述升高的位置处处理所述晶片。

8.根据权利要求7所述的半导体处理方法，还包括：

将所述阻尼器与被配置成侧向地固定所述加热器轴的调平板的接触结构接触。

9.根据权利要求8所述的半导体处理方法，其中所述阻尼器包括弹性弹簧，所述弹性弹簧具有可偏置顶件，所述可偏置顶件以凸起取向设置在弹性材料顶部上。

10.根据权利要求9所述的半导体处理方法，其中所述可偏置顶件具有柔性弹簧部分宽度，所述柔性弹簧部分宽度大于接触结构的接触结构宽度，所述接触结构设置在所述弹性弹簧之上且被配置成当所述夹具移动到最大垂直位置时接触所述弹性弹簧。