[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 202110473369.4 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113594125B | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 里卡多·杨多克;弗洛兰特·费诺尔;马龙·法杜洛;拉米尔·阿蒂恩萨 | 申请（专利权）人： | 安世有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张娜;李荣胜 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，包括：
引线框，
管芯，其利用第一焊料附接到所述引线框，
夹片，其利用第二焊料附接到所述管芯，
其中，所述夹片包括用于检查所述第二焊料的过量而布置的切口，
其中，所述半导体装置是MOSFET装置，所述MOSFET装置包括源极、栅极和漏极，其中，所述切口位于所述源极与所述漏极之间以及/或者所述栅极与所述漏极之间。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述切口的形状为矩形或半圆形。
3.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，所述切口通过铜冲压工艺或蚀刻工艺制成。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述切口的形状是半圆形，并且其中，所述半圆形的半径与所述夹片的厚度具有相同或相似的尺寸。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述半圆形的半径和所述夹片的厚度为大约0.2mm。
6.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：
形成引线框，
利用第一焊料将管芯附接到所述引线框，
利用第二焊料将夹片附接到所述管芯，
其中，所述夹片包括用于检查所述第二焊料的过量而布置的切口，
其中，所述半导体装置是MOSFET装置，所述MOSFET装置包括源极、栅极和漏极，其中，所述切口位于所述源极与所述漏极之间以及/或者所述栅极与所述漏极之间。
7.根据权利要求6所述的制造半导体装置的方法，其中，所述切口的形状为矩形或半圆形。
8.根据权利要求6或7所述的制造半导体装置的方法，所述切口通过铜冲压工艺或蚀刻工艺制成。
9.根据权利要求7所述的制造半导体装置的方法，其中，所述切口的形状是半圆形，并且其中，所述半圆形的半径与所述夹片的厚度具有相同或相似的尺寸。
10.根据权利要求9所述的制造半导体装置的方法，其中，所述半圆形的半径和所述夹片的厚度为大约0.2mm。
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