[发明专利]一种多针阵列式伪MOS结构测量探头有效
| 申请号： | 202110472854.X | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113267714B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 万景;王海华;徐壮壮 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R1/067;G01R1/073 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 mos 结构 测量 探头 | ||
【权利要求书】：
1.一种多针阵列式伪MOS结构测量探头，其特征在于，由外围多根探针围绕中央一根探针呈环形均匀排布组成，中央一根探针接出一根引线作为源极传导，外围多根探针短路连接共同接出一根引线作为漏极传导，中央一根探针与外围多根探针的间距相同，为0.2-5mm。
2.根据权利要求1所述多针阵列式伪MOS结构测量探头，其特征在于，所述外围探针数量根据测试需要灵活设置，数量为2-15根。
3.根据权利要求1所述多针阵列式伪MOS结构测量探头，其特征在于，所述探针材质为高速钢或碳化钨，探针对样品形成的压力在50-500g之间变化。
4.根据权利要求1所述多针阵列式伪MOS结构测量探头，其特征在于，所述探针之间绝缘电阻率大于10MΩ，所述探针之头部的曲率半径为0.05-0.5mm。
5.根据权利要求1所述多针阵列式伪MOS结构测量探头，其特征在于，在测量探头上方施加有弹簧，通过手动或半自动上下移动测试探头，使其接触伪MOS结构样品表面，且所用弹簧为可调节型。
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