[发明专利]用于重分布层的互连结构和半导体封装

说明书

本发明公开一种用于重分布层的互连结构，包括：中间通孔焊盘；一个或一簇上导电通孔，邻接该中间通孔焊盘，并且将该中间通孔焊盘电耦接到上通孔焊盘；以及下导电通孔，将该中间通孔焊盘与该下电路焊盘电耦接，其中，该下导电通孔布置在沿该中间通孔焊盘的周边延伸的马蹄形通孔区域内。因此本发明中上导电通孔不与下导电通孔重叠，因此避免了应力沿垂直方向传递，可以减轻电路设计人员的负担，并且可以显着减少运行时间。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种用于重分布层的互连结构和半导体封装。

背景技术

近年来，随着设计复杂度的增加，业界已经提出了用于系统集成的先进封装技术。例如，扇出晶圆级芯片级封装(fan-out wafer-level chip-scale package，FO-WLCSP)提供了一种有前途的替代方案，该方案具有小尺寸，更好的信噪比和改进的热特性。

如本领域中已知的，微凸块(micro-bump)和重分布层(redistribution layer，RDL)用于多芯片FO-WLCSP中，以连接相邻芯片以及连接到扇出芯片上的输入/输出(input/output，I/O)焊盘上。RDL可以是芯片的上层金属层，并且多个芯片在多芯片FO-WLCSP中共用相同的RDL。在现代IC设计中，I/O焊盘通常沿着芯片的边界放置，RDL用于将I/O焊盘重新分配到受控的塌陷芯片连接(controlled collapse chip connection，C4)凸块焊盘，或连接不同芯片之间I/O焊盘。I/O焊盘可以重新分配到芯片外部的扇出区域，以增加引脚数。

C4凸块是扇出芯片封装和电路基板(例如，封装基板)之间的界面。众所周知，由于热膨胀系数不匹配(或CTE(coefficient of thermal expansion，热膨胀系数)不匹配)，C4凸块通常承受较大的应力。因此，C4凸块的尺寸和间距大于I/O焊盘或微型凸块的尺寸和间距。这导致C4凸块位置可能与其对应的I/O焊盘或微型凸块位置不同。

通常，焊盘到凸块(即I/O焊盘到C4凸块焊盘)的相对位置数以千计，因此在RDL布线的设计过程中会生成数千种通孔和焊盘互连图案，这不可避免地增加了运行时间(runtime)，并使RDL电路设计过程变得繁重。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种用于重分布层的互连结构和半导体封装，以解决上述问题。

根据本发明的第一方面，公开一种用于重分布层的互连结构，包括：

中间通孔焊盘；

一个或一簇上导电通孔，邻接该中间通孔焊盘，并且将该中间通孔焊盘电耦接到上通孔焊盘；以及

下导电通孔，将该中间通孔焊盘与该下电路焊盘电耦接，其中，该下导电通孔布置在沿该中间通孔焊盘的周边延伸的马蹄形通孔区域内。

根据本发明的第二方面，公开一种半导体封装，包括：

至少一个半导体晶粒；

模塑料，围绕该半导体晶粒的；以及

重分布层，设置在该模塑料的下表面上，其中，该至少一个半导体晶粒电连接至该重分布层的互连结构，其中，该互连结构包括：

中间通孔焊盘；

一个或一簇上导电通孔，邻接该中间通孔焊盘，并且将该中间通孔焊盘电耦接到该上通孔焊盘；以及

下导电通孔，将该中间通孔焊盘与该下电路焊盘电耦接，其中，该下导电通孔布置在沿该中间通孔焊盘的周边延伸的马蹄形通孔区域内。

根据本发明的第三方面，公开一种用于重分布层的互连结构，包括：

中间通孔焊盘；