[发明专利]半导体装置及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

主电路区；和

划线区，其包围所述主电路区；

其中所述主电路区和所述划线区包括第一绝缘膜及第二绝缘膜以及形成于其间的低k膜；且

其中所述划线区的所述低k膜包含沿着所述主电路区与所述划线区之间的边界加衬的多个空腔。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述划线区具有界定宽度方向和与所述宽度方向正交的纵向方向的预定宽度，且其中加衬有多个所述空腔的区在所述宽度方向上位于所述划线区的末端处且在所述纵向方向上延伸。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述多个所述空腔在平面视图中为圆形，并且以交错方式布置。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述空腔中的每一者掩埋有绝缘膜。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述低k膜包括多个低k膜的堆叠膜。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中多个互连件包含在所述主电路区中，且所述低k膜形成于所述多个互连件之间。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述低k膜包括SiOC和SiCN的堆叠膜，且其中所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜包括氧化硅膜。

8.一种制造半导体装置的方法，所述半导体装置包含以矩阵布置的多个主电路区和设置于所述主电路区之间的划线区，所述方法包括：

形成第一绝缘膜；

形成低k膜；

形成穿透所述低k膜的多个穿透部分；和

在低覆盖率成膜条件下形成第二绝缘膜以在多个通孔中形成空腔。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述多个穿透部分在平面视图中为圆形，并且以交错方式布置。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述划线区具有界定宽度方向和与所述宽度方向正交的纵向方向的预定宽度，且

其中安置有所述多个穿透部分的区在所述宽度方向上安置于所述划线区的末端处。

11.根据权利要求8所述的方法，其中所述低k膜包括多个低k膜的堆叠膜。

12.根据权利要求8所述的方法，其中多个互连件包含在所述主电路区中，且所述低k膜形成于所述多个互连件之间。

13.根据权利要求8所述的方法，其中所述低k膜包括SiOC和SiCN的堆叠膜。

14.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜包括氧化硅膜。

15.一种制造半导体装置的方法，所述半导体装置包含以矩阵布置的多个主电路区和设置于所述主电路区之间的划线区，所述方法包括：

形成第一绝缘膜；

形成低k膜；

形成穿透所述低k膜的多个穿透部分；和

在高覆盖度膜形成条件下在所述低k膜上形成第三绝缘膜，并且在所述穿透部分内部掩埋所述第三绝缘膜。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述多个穿透部分在平面视图中为圆形，并且以交错方式布置。

17.根据权利要求15所述的方法，其中所述划线区具有界定宽度方向和与所述宽度方向正交的纵向方向的预定宽度，且所述多个穿透部分在所述宽度方向上安置于所述划线区的末端处且在所述纵向方向上延伸。

18.根据权利要求15所述的方法，其中所述低k膜包括多个低k膜的堆叠膜。